| 主权项 |
1.一种半导体元件包含:一属于第一种导电性的一半导体基底;一属于第二种导电性的第一井部分,在该半导体基底的主要表面中形成并相连之;一属于该第一种导电性的第二井部分,在该第一井部分的主要表面中形成并相连之;一场绝缘薄膜在该半导体基底的主要表面中形成;并将该半导体基底的主要表面分割成一些主动区域;在该第二井部分的主要上表面有一第一主动区域及一第二主动区域;在该第一主动区域下为一第一部分,该第二主动区域下为一第二部分;一记忆阵列在该第一主动区域上形成,而一周边元件在该第二主动区域上形成;以及在该第一部分,该第二部分,及该场绝缘薄膜底下之部分在第二井部分之主要表面上,当该第二井部分形成之后,引用一第一种离子射入产生一通道阻绝区。2.如申请专利范围第1项所述之半导体元件,其中该半导体基底的主要表面上所形成的该场绝缘薄膜下之部分,至少在中央部分,包含了该通道阻绝区域。3.如申请专利范围第1项所述之该半导体元件,其中该第一主动区域下之该第一部分及该第二主动区域下之该第二部分,各别包含了该通道阻绝区域。4.如申请专利范围第2项所述之该半导体元件,其中该第二井部的主要表面上所形成的该场绝缘薄膜下之部分,至少在中央部分,包含了该通道阻绝区域。5.如申请专利范围第3项所述之该半导体元件,其中该第二井部的主要表面上所形成的该场绝缘薄膜下之部分,至少在中央部分,个别地包含了该通道阻绝区域。6.如申请专利范围第3项所述之该半导体元件,其中该第一部分,该第二部分,及在该第二井部分及半导体基底上,形成的该场绝缘薄膜下,至少在中央部分,各别包含了该通道阻绝区域。7.如申请专利范围第1项所述之该半导体元件,其中该第一部分包含了该通道阻绝区域。8.如申请专利范围第7项所述之该半导体元件,其该第二井部分的主要表面上所形成的该场绝缘薄膜下之部分,至少部分包含了该通道阻绝区域。9.如申请专利范围第7项所述之该半导体元件,其中该半导体基底区域的主要表面上所形成的该场绝缘薄膜下之部分,至少部分包含了该通道阻绝区域。10.如申请专利范围第7项所述之该半导体元件,其中该第二井部分及该半导体基底区域的主要表面上所形成的该场绝缘薄膜下之部分,至少一部分包含了该通道阻绝区域。11.如申请专利范围第1项所述之该半导体元件,其中该第二井部分的主要表面上所形成的该场绝缘薄膜下之部分,至少中央部分包含了该通道阻绝区域。12.如申请专利范围第11项所述之该半导体元件,其中该半导体基底的主要表面上所形成的该场绝缘薄膜下之部分,至少部分包含了该通道阻绝区域。13.一种半导体元件的制造方法,包括下列步骤:形成一具有双井结构的一半导体基底的方法,包含了该半导体基底主要表面的第一区域及邻近处,引用第一种掺质离子射入,以形成第一井部分,并在该半导体基底之主要表面形成一场绝缘薄膜,以将该半导体基底主要表面分割出一些主动区域;利用第二种掺质离子射入,在半导体基底主要表面的第二区域及邻近处,将第二井部分之主要表面分割出一第一主动区域及第二主动区域;一步骤使该第一主动区域形成一记忆阵列,及在第二主动区域形成周边元件的;一步骤使该第一主动区域,该第二主动区域,及在该第二井部分上之该场绝缘薄膜露出,并形成一罩幕覆盖在其他部分上;以及一步骤引用的第三种掺质离子,该第三次掺质离子具足够能量,得以射入穿越在该第二井部分形成后之该场绝缘薄膜。14.如申请专利范围第13项所述之方法,包括下列步骤:一步骤引用具足够能量的该第二种掺质离子,穿越在第二井部分形成后的该场绝缘薄膜。15.如申请专利范围第13项所述之方法,还包括了下列步骤:一步骤使该第一主动区域,该第二主动区域,在该第二井部分主要表面上的该场绝缘薄膜,及在该半导体基底主要表面上该绝缘薄膜部分,至少中央部分露出,而其余区域则形成一罩幕覆盖着;以及引用该第三种掺质离子有选择性地集中射入。16.如申请专利范围第13项所述之方法,还包括了下列步骤:一步骤使该第一主动区域及该第二主动区露出,并形成一罩幕覆盖在其他区域;以及引用该第三种掺质离子有选择性地集中射入。17.如申请专利范围第16项所述之方法,还包括了下列步骤:一步骤使该第一主动区域,该第二主动区域,及在该半导体基底主要表面上的该绝缘薄膜部分,至少中央部分露出,而形成一罩幕覆盖在其他区域;以及引用该第三种掺质离子有选择性地集中射入。18.如申请专利范围第16项所述之方法,还包括了下列步骤:一步骤使该第一主动区域,该第二主动区域,及在该第二井部分主要表面上的该场绝缘薄膜部分,至少中央部分露出,并形成一罩幕覆盖着其余部分;以及引用该第三种掺质离子有选择性地集中射入。19.如申请专利范围第16项所述之方法,还包括了下列步骤:一步骤使该第一主动区域,该第二主动区域,及在该半导体基底及该第二井部分的主要表面上的该场绝缘薄膜部分,至少中央部分露出,并形成一罩幕覆盖着其余部分;以及引用该第三种掺质离子有选择性地及集中射入。20.如申请专利范围第13项所述之方法,还包括了下列步骤:一步骤使该第二主动区域露出,并形成一罩幕覆盖在其余区域;以及引用该第三种掺质离子有选择性地集中射入。21.如申请专利范围第20项所述之方法,还包括了下列步骤:一步骤使第二主动区域及在该第二井部分主要表面上的该绝缘薄膜部分,至少中央部分露出,并形成一罩幕覆盖在其余区域;以及引用该第三种掺质离子有选择性地集中射入。22.如申请专利范围第20项所述之方法,还包括了下列步骤:一步骤使第二主动区域及在该半导体基底主要表面上的该绝缘薄膜部分,至少中央部分露出,并形成一罩幕覆盖在其余区域;以及引用该第二种掺质离子有选择性地集中射入。23.如申请专利范围第20项所述之方法,还包括了下列步骤:一步骤使第二主动区域及该第二井部分主要表面上的该绝缘薄膜部分,至少中央部分露出,并形成一罩幕覆盖在其余区域;以及引用该第二种掺质离子有选择性地集中射入。24.如申请专利范围第13项所述之方法,还包括了下列步骤:一步骤使在该第二井部分主要表面上的该绝缘薄膜部分,至少中央部分露出,并形成一罩幕覆盖在其余区域;以及引用该第二种掺质离子有选择性及集中地射入。25.如申请专利范围第24项所述之方法,还包括了下列步骤:一步骤使在该半导体基底及该第二井部分主要表面上的该绝缘薄膜部分,至少中央部分露出,并形成一罩幕覆盖在其余区域;以及引用该第二种掺质离子有选择性及集中地射入。图式简单说明:第1A-1D图为本发明的第一个实施例,一半导体元件之制造方法如图所绘。第2图与第1D图相似,图示本发明的第二实施例,为防止过多的掺质离子浓度植入第二井部分之半导体元件的制造方法。第3图与第1D图相似,图示制造一半导体元件的第三实施例,此元件能集中地将通道阻绝离子射入预定区域内。 |
