| 发明名称 | 减轻由于金属氧化物陶瓷的移动物质扩散造成的金属氧化物陶瓷退化 | ||
| 摘要 | 通过特别选择组分和/或淀积参数,减少过量移动物质从金属氧化物陶瓷的扩散。在金属氧化物陶瓷层之下提供与过量移动物质反应的阻挡层,防止或减少过量移动物质穿过下电极扩散到衬底中。 | ||
| 申请公布号 | CN1334962A | 申请公布日期 | 2002.02.06 |
| 申请号 | CN99816072.5 | 申请日期 | 1999.12.08 |
| 申请人 | 因芬尼昂技术股份公司;先进技术材料公司 | 发明人 | F·S·欣特迈尔;J·F·雷德;B·C·亨德里克斯;D·A·德斯罗切尔斯;T·H·鲍姆 |
| 分类号 | H01L21/316 | 主分类号 | H01L21/316 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 王勇;张志醒 |
| 主权项 | 1.一种制造半导体器件的方法，包括：提供包括部分形成的半导体器件的衬底；在下电极上淀积金属氧化物陶瓷，其中所说金属氧化物陶瓷包括特别选择的组分以减少过量物质扩散；及退火衬底，形成具有良好电特性的金属氧化物陶瓷。 | ||
| 地址 | 德国慕尼黑 | ||