| 主权项 |
1.一种半导体装置,包括复数条形成在一基板上的金属线,各自具有一设于该基板端部的连接头(connection terminal),用以连接至一外部驱动电路,从而独立地提供电压到每一像素电极上:其中每一个该金属线在该连接头的位置上,提供有一接头间防短路图案(interterminal anti-short-circuitingpattern),其包括导电岛状物和环绕该岛状物的凹陷部;其中该金属线除了该岛状物一部份以外但包括该凹陷部内侧的表面上系覆盖有一保护绝缘膜;其中一接触开口系形成在该岛状物上未覆盖该保护绝缘层的部分;以及其中一透明导电膜系沈积在该保护绝缘膜表面上与包含该岛状物上表面的该接触开口内侧者。2.如申请专利范围第1项中所定义之半导体装置,其中该凹陷部足以截断源自于该岛状物之腐蚀继续扩展,该岛状物系固着在该金属线上该接头的位置上,藉此使腐蚀不会蔓延到该岛状物之外。3.如申请专利范围第1项中所定义之半导体装置,其系一主动矩阵式液晶显示面板,包括矩阵电极、复数个像素电极、和逐一对应于该些像素电极的主动切换元件,其全部连接至除了该连接头以外的每一个该金属电极,并构成该基板的显像区域,其中该些像素电极可依该些主动切换元件的矩阵操作(matrixoperation)而切换,且液晶系放入电极区域的空间中,其系介于该基板和相对固着的另一基板之间。4.如申请专利范围第3项中所定义之半导体装置,其中该些主动切换元件系薄膜电晶体。5.一种半导体装置,包括复数条形成在一基板上的金属线,各自具有一设于该基板端部的连接头,用以连接至一外部驱动电路,从而独立地提供电压到每一像素电极上:其中每一个该金属线在该连接头的位置上,提供有一接头间防短路图案,其包括导电岛状物和环绕该岛状物的凹陷部;其中该金属线除了该岛状物一部份以外但包括该凹陷部内侧的表面上系覆盖有一保护绝缘膜;其中一接触开口系形成在该岛状物上未覆盖该保护绝缘层的部分;其中系经由邻近该接触开口的该保护绝缘层,而提供一到达该凹陷部的底部坑(bottomed pool)的;以及其中一透明导电膜系沈积在该保护绝缘膜表面上,其包括该接触开口内侧和该底部坑者。6.如申请专利范围第5项中所定义之半导体装置,其中该凹陷部和该底部坑系足以截断源自于该岛状物之腐蚀继续扩展,该岛状物系固着在该金属线上该接头的位置上,藉此使腐蚀不会蔓延到该岛状物之外。7.如申请专利范围第5项中所定义之半导体装置,其系一主动矩阵式液晶显示面板,包括矩阵电极、复数个像素电极、和逐一对应于该些像素电极的主动切换元件,其全部连接至除了该连接头以外的每一个该金属电极,并构成该基板的显像区域,其中该些像素电极可依该些主动切换元件的矩阵操作而切换,且液晶系放入电极区域的空间中,其系介于该基板和相对固着的另一基板之间。8.如申请专利范围第7项中所定义之半导体装置,其中该些主动切换元件系薄膜电晶体。9.一种半导体装置,包括复数条形成在一基板上的金属线,各自具有一设于该基板端部的连接头,用以连接至一外部驱动电路,从而独立地提供电压到每一像素电极上:其中每一个该金属线在该连接头的位置上,包括一上层金属线和一下层金属线,并具有一层间绝缘膜夹于该基板与该下层金属线之间;其中在该上层和下层金属线同样的位置上,提供有一接头间防短路图案,其包括导电岛状物和环绕该岛状物的凹陷部;其中该金属线除了该岛状物一部份以外但包括该凹陷部内侧的表面上系覆盖有一保护绝缘膜;其中一接触开口系形成在该岛状物上未覆盖该保护绝缘层的部分;以及其中一透明导电膜系沈积在该保护绝缘膜表面上,其包括该接触开口内侧与该岛状物上表面者。10.一种用以制备一半导体装置的方法,该装置包括复数条形成在一基板上的金属线,各自具有一设于该基板端部的连接头,用以连接至一外部驱动电路,从而独立地提供电压到每一像素电极上,包括下列步骤:以真空沈积或溅镀程序沈积一金属膜,并局部去除该金属膜以形成该金属线的既定图案;在将要形成该连接头的位置上,形成一接头间防短路图案,包括导电岛状物和环绕该岛状物的凹陷部;沈积一保护绝缘膜,于该金属线除了该岛状物一部份以外但包括该凹陷部内侧的表面上,以于该岛状物上未覆盖该保护绝缘膜的部分提供一接触开口;以及沈积一透明导电膜于该保护绝缘膜表面上,其包括该接触开口内侧和该岛状物上表面者。11.一种用以制备一半导体装置的方法,该装置包括复数条形成在一基板上的金属线,各自具有一设于该基板端部的连接头,用以连接至一外部驱动电路,从而独立地提供电压到每一像素电极上,包括下列步骤:以真空沈积或溅镀程序沈积一金属膜,以形成该金属线的既定图案;在将要形成该连接头的位置上,形成一接头间防短路图案,包括导电岛状物和环绕该岛状物的凹陷部;沈积一保护绝缘膜,于该金属线除了该岛状物一部份以外但包括该凹陷部内侧的表面上;在该岛状物上未覆盖该保护绝缘膜的部分提供一接触开口;经由邻近该接触开口的该保护绝缘层,制作一到达该凹陷部的底部坑(bottomed pool);以及沈积一透明导电膜于该保护绝缘膜表面上,其包括该接触开口内侧与该底部坑者。12.一种用以制备一半导体装置的方法,该装置包括复数条形成在一玻璃基板上的金属线,各自具有一设于该玻璃基板端部的连接头,用以连接至一外部驱动电路,从而独立地提供电压到每一像素电极上,包括下列步骤:以溅镀程序形成一层间绝缘膜于该玻璃基板上;以真空沈积或溅镀程序沈积一金属膜于其上;蚀刻该金属膜,用以在该玻璃基板的中央部分形成矩阵电极,同时在该玻璃基板的周边部分形成具有一接头间防短路图案的该连接头,其中该中央部分变成一显像部分,该接头间防短路图案包括一导电岛状物、凹陷部、和至少一压缩部(constricted part)供连接该岛状物与该凹陷部,该连接头与形成在该中央部分的该些电极相耦合;以真空沈积或溅镀程序沈积一保护绝缘膜于其上;以局部蚀刻方式去除形成在该连接头岛状物上的该保护绝缘膜,及形成在该凹陷部的该保护绝缘膜和该层间绝缘膜;以真空沈积或溅镀程序沈积一透明导电膜;以及蚀刻该透明导电膜使成为该连接头的既定形状。图式简单说明:第1图系一装配好之液晶显示面板的立体图,其为本发明半导体装置的一个实施例。第2图系一放大平面图,显示根据本发明第一实施例的接头(connection terminal)。第3图系第2图中沿着A-A线所作的剖面图,显示本发明的第一实施例。第4图系一剖面图,绘示一主动矩阵式液晶显示装置形成TFT的部分。第5(a)至5(e)图为一系列剖面图,显示制造根据本发明第一实施例之接头的制程步骤顺序。第6图系一放大平面图,显示根据本发明第一实施例之接头其接头间防短路图案主要部分实际尺寸的例子。第7图系一剖面图,显示根据本发明第二实施例的接头。第8(a)至8(e)图为一系列剖面图,显示制造根据本发明第二实施例之接头的制程步骤顺序。第9图系一剖面图,显示根据本发明第三实施例的接头。第10(a)至10(e)图为一系列剖面图,显示制造根据本发明第三实施例之接头的制程步骤顺序。第11图系一放大平面图,显示一习知液晶显示面板的接头。第12图系第11图中沿着A-A线所作的剖面图,显示习知之接头构造的一个例子。 |
