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<p>Ein integrierter Speicher enthält Speicherzellen (MC) mit magnetoresistivem Speichereffekt sowie Spaltenleitungen (BL0 bis BLn) und Zeilenleitungen (WL0 bis WLm). Die Speicherzellen (MC) sind jeweils zwischen eine der Spaltenleitungen (BL0 bis BLn) und eine der Zeilenleitungen (WL0 bis WLm) geschaltet. Sie sind derart ausgeführt, daß sie von der jeweiligen Spaltenleitung (BL0 bis BLn) und/oder Zeilenleitung (WL0 bis WLm) mittels eines Stromflusses (IB) durch die jeweilige Speicherzelle (MC) abtrennbar sind. Dadurch ist im Falle einer vorhandenen fehlerhaften Speicherzelle (MCl2) ein vergleichsweise geringer Reparaturaufwand des Speichers ermöglicht. <IMAGE></p> |
