| 发明名称 |
Method of anisotropic dry etching organic antireflection layers |
| 摘要 |
<p>Bei einem Verfahren zum anisotropen Trockenätzen einer organischen Antireflexionsschicht werden als Ätzgase im wesentlichen Wassersstoff und Stickstoff eingesetzt. <IMAGE></p> |
| 申请公布号 |
EP1176634(A2) |
申请公布日期 |
2002.01.30 |
| 申请号 |
EP20010115152 |
申请日期 |
2001.06.22 |
| 申请人 |
INFINEON TECHNOLOGIES AG |
发明人 |
RICHTER, HARALD;WEGE, STEPHAN;STEGEMANN, MAIK |
| 分类号 |
G03F7/09;H01L21/027;H01L21/311;(IPC1-7):H01L21/310 |
主分类号 |
G03F7/09 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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