ELECTRICALLY PROGRAMMABLE MEMORY ELEMENT WITH IMPROVED CONTACTS

摘要

본 발명은 대량의 상전이 메모리 재료(250); 및 상기 메모리 재료(250)에 전기 신호를 공급하는 제1 및 제2 접점을 포함하는 메모리 소자를 제공하며, 상기 제1 접점은 도전성 측벽 스페이서(130A, 130B)를 포함한다. 변형적으로는, 상기 제1 접점은 상기 메모리 재료(250)에 인접한 에지를 갖는 접점 층을 포함할 수 있다.