| 发明名称 |
Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung mit einer Silizid-Schutzschicht |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
DE19819438(C2) |
申请公布日期 |
2002.01.24 |
| 申请号 |
DE19981019438 |
申请日期 |
1998.04.30 |
| 申请人 |
MITSUBISHI DENKI K.K., TOKIO/TOKYO |
发明人 |
MAEDA, SHIGENOBU |
| 分类号 |
H01L21/28;H01L21/336;H01L21/84;H01L27/12;H01L29/78;(IPC1-7):H01L21/823;H01L23/62 |
主分类号 |
H01L21/28 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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