微细图形形成方法和使用该方法的半导体装置的制造方法

摘要

本发明的课题在于,在形成光刻技术的分辨率以上的微细图形的情况下,全部剩余图形变小。解决办法是:形成其刻蚀速度与被加工膜不同、刻蚀时成为被加工膜的掩模的硬掩模膜,利用光刻法在其上形成第一抗蚀剂图形来形成硬掩模图形,除去第一抗蚀剂图形后,利用光刻法在硬掩模图形上形成第二抗蚀剂图形,对未被该第二抗蚀剂图形覆盖的部分进行各向同性刻蚀,除去第二抗蚀剂图形后,将其一部分被各向同性刻蚀过的硬掩模图形作为掩模,刻蚀被加工膜。

主权项

1.一种微细图形形成方法，其特征在于包括：在衬底上形成被加工膜的工艺；形成其刻蚀速度与上述被加工膜不同、刻蚀时成为被加工膜的掩模的硬掩模膜的工艺；利用光刻法在该硬掩模膜上形成第一抗蚀剂图形的工艺；对被该第一抗蚀剂图形覆盖的部分以外的部分进行刻蚀、直至上述被加工膜的上表面露出为止以形成硬掩模图形的工艺；除去上述第一抗蚀剂图形的工艺；利用光刻法在上述硬掩模图形上形成第二抗蚀剂图形的工艺；对被该第二抗蚀剂图形覆盖的部分以外的部分进行各向同性刻蚀的工艺；除去上述第二抗蚀剂图形的工艺；以及将其一部分被各向同性刻蚀过的硬掩模图形作为掩模来刻蚀上述被加工膜的工艺。