| 发明名称 |
Metamorphic heterojunction bipolar transistor having material structure for low cost fabrication on large size gallium arsenide wafers |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
GB2358959(B) |
申请公布日期 |
2002.01.16 |
| 申请号 |
GB20000020938 |
申请日期 |
2000.08.24 |
| 申请人 |
* WIN SEMICONDUCTORS CORP |
发明人 |
PENG-SHENG * CHAO;CHAN-SHIN * WU;TONY YEN-CHIN * LIN |
| 分类号 |
H01L29/73;H01L21/205;H01L21/331;H01L29/205;H01L29/737;(IPC1-7):H01L29/737 |
主分类号 |
H01L29/73 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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