| 主权项 |
1.一种三度空间结构体,其包括: 一多孔体;及 衆多区,其系在多孔体内部形成且装载着一物质; 其中部份该装载着该物质的衆多区之平均周期为0 .1到2微米,以形成一光子带。2.如申请专利范围第1 项之三度空间结构体,其中于将该衆多区按周期排 列以形成光子带的部份中,经排列以扰乱周期性排 列的区系经形成为邻接该经周期性排列的区且与 该经周期性排列区分隔。3.如申请专利范围第1项 之三度空间结构体,其中该多孔体具有至少40%多孔 率。4.如申请专利范围第1项之三度空间结构体,其 中该多孔体的孔径系在1毫微米和100毫微米之间。 5.如申请专利范围第1项之三度空间结构体,其中该 多孔体为氧化矽气凝胶多孔体。6.一种三度空间 结构体的制造方法,该三度空间结构体包括一多孔 体及衆多在该多孔体内部形成且装载着一物质的 区,其中部份该装载着该物质的衆多区之平均周期 为0.1到2微米,以形成一光子带;该方法包括下列诸 步骤: 将一感光材料装载到该多孔体的孔隙中; 将已装载着感光材料的该多孔体中之预定区选择 性曝光;及 曝光之后选择性地除去曝光区或未曝光区中的感 光材料。7.如申请专利范围第6项之三度空间结构 体的制造方法,其中,于将该衆多区按周期排列以 形成光子带的部份中,经排列以扰乱周期性排列的 区系经形成为邻接该经周期性排列的区且与该经 周期性排列区分隔。8.如申请专利范围第6项之三 度空间结构体的制造方法,其中该多孔体具有至少 40%多孔率。9.如申请专利范围第6项之三度空间结 构体的制造方法,其中该多孔体的孔径系在1毫微 米和100毫微米之间。10.如申请专利范围第6项之三 度空间结构体的制造方法,其中该多孔体为氧化矽 气凝胶多孔体。11.一种三度空间结构体,其包括: 一多孔体;及 一三度空间线路图样,其系由多孔体内部装载的传 导材料形成的; 其中该三度空间线路图样包括至少三“首层",每 一层都具有三维线路图样,且沿垂直于该二维线路 图样平面的方向排列,及 至少两“次层",其系经插置于两相邻的首层中,且 有连接部份以连接插置于该两次层之间的两首线 路板所具二维线路图样。12.如申请专利范围第11 项之三度空间结构体,其中该多孔体是由微型相分 离结构组成的。13.如申请专利范围第11项之三度 空间结构体,其中该多孔体具有至少40%多孔率。14. 如申请专利范围第11项之三度空间结构体,其中该 该多孔体的孔径系在30毫微米和2000毫微米之间。 15.如申请专利范围第11项之三度空间结构体,其中 该与二维线路图样接触的连接部份之末端面系呈 锐角结构。16.如申请专利范围第11项之三度空间 结构体,其中该与二维线路图样接触的连接部份之 末端面具有至少一种选自金、银、和铂之中的金 属。17.一种三度空间结构体,其包括: 一片状第一多孔体,其具有在其内形成的二维线路 图样;及 一片状第二多孔体,其系经层接到该第一多孔体之 上且与该第一多孔体整合着; 其中该第二多孔体具有一连接部份以连接到在该 该第一多孔体内形成的该二维线路图样,且 该第一与第二多孔体具有穿孔。18.如申请专利范 围第17项之三度空间结构体,其中各该第一与第二 多孔体系由微型相分离结构所组成。19.如申请专 利范围第17项之三度空间结构体,其中该多孔体具 有至少40%多孔率。20.如申请专利范围第17项之三 度空间结构体,其中该多孔体的孔径系在30毫微米 和2000毫微米之间。21.如申请专利范围第17项之三 度空间结构体,其中该与二维线路图样接触的连接 部份之末端面系呈锐角结构。22.如申请专利范围 第17项之三度空间结构体,其中该与二维线路图样 接触的连接部份之末端面具有至少一种选自金、 银、和铂之中的金属。23.一种制造三度空间结构 的方法,其包括如下诸步骤: 将一多孔体选择性地曝光于光束中,其曝光的三度 空间线路图样具有沿入射光束方向的衆多二维线 路图样;及 曝光之后在曝光区或未曝光区的孔隙中选择性地 装载入传导性材料或其前体。24.一种三度空间结 构体,其包括: 一多孔结构,其系由微型相分离结构形成的及一传 导区,其系经由在该多孔体中的预定区装载传导性 材料所得, 其中该多孔体是经由去除构成该微型相分离结构 的至少一种相所得。25.如申请专利范围第24项之 三度空间结构体,其中该微型相分离结构是由嵌段 共聚物或接枝共聚物所展现的微型相分离结构。 26.如申请专利范围第24项之三度空间结构体,其中 该微型相分离结构是由将聚(乙烯基乙烯)交联所 得聚合物材料形成的。27.如申请专利范围第24项 之三度空间结构体,其中该多孔体具有至少40%多孔 率。28.如申请专利范围第24项之三度空间结构体, 其中该多孔体的孔径系在30毫微米和2000毫微米之 间。29.如申请专利范围第24项之三度空间结构体, 其中该该微型相分离结构为OBDD结构或Gyroid结构。 30.如申请专利范围第24项之三度空间结构体,其中 该多孔体具有连续的孔隙,孔隙间相对距离为构成 该多孔结构的微域所具截面之回转半径的2√3倍 或4倍。图式简单说明: 第一图概示本发明三度空间结构体; 第二图概示本发明三度空间结构体另一例子; 第三图为例示本发明三度空间结构体的断面图; 第四图A和第四图B整体地例示本发明三度空间立 体线路结构体制造方法的断面图; 第五图为显示本发明三度空间线路结构体另一例 子的断面图; 第六图A-第六图D为整体地显示本发明另一三度空 间线路结构体制造方法的断面图;且 第七图A-第七图D为整体地例示本发明制造选择性 传导元件的方法之断面图。 |
