| 摘要 |
<p>본 발명에 따른 반도체 장치에서의 소자격리구조 및 소자격리방법은 반도체 기판의 소정영역을 식각하여 제 1 및 제 2 트렌치를 형성하고, 상기 각 트렌치들의 내부에 매립절연막을 단일공정으로 각각 형성하고, 상기 각 매립절연막상에 실리콘에피택시방법에 의한 단결정실리콘막을 단일공정으로 각각 증착하여 상기 각 트렌치들을 채운 다음, 상기 트렌치에 대응하는 기판상에 로코스방법에 따른 필드절연막을 형성하는 것을 포함한다. 상기 필드절연막은 이웃하는 트렌치내에 채워진 단결정실리콘층들을 격리시킴으로서, 상기 단결정실리콘층에 제조될 고전압소자 또는 저전압소자와 같은 반도체 소자들을 상호 격리하는 역할을 한다.</p> |
