射频功率电晶体

摘要

一场效电晶体在一包含一碳化矽(SiC)基材之晶片(20)上制成。此电晶体包括诸多密集堆叠的平行电晶体单元完全占用一长方形面积(21)。每一电晶体单元有平行条形区域形成单元之电极与有效面积且每一内单元与邻近单元共用其汲极与源极。欲提供一良好功率消耗让电晶体有高电功率，长方形区有一甚长形状而尤其应有一宽度实质上未大于50μm。在长方形区内，所有电晶体单元均有条状形区域所在位于平行于长方形区之短边且一般相较于长方形区之长度甚短。因此，每单元亦特别有一长度实质上未大于50微米(μm)。由长方形区之长边至晶片外侧的距离应至少为晶片厚度之50%且较佳为60%，以让自有效长方形区有良好热量流出。多个此种甚长主动区系位于一单晶片上。

主权项

1.一种在一晶片内之SiC-基材为基础之电晶体,该电晶体包括多个密集堆叠的平行电晶体单元,每单元包括形成电极之与单元之主动区域之平行条带状区域,且每一内部单元与邻近单元共用汲极与源极,电晶体单元完全占据在该SiC-基材上之长方形面积,其特征在于:该长方形面积系延长的而有一实质上未大于50微米(m)之宽度。2.如申请专利范围第1项之电晶体,其特征在于:在该长方形面积内所有电晶体单元均有其条带状区域所在位置平行于长方形短边,这样条带状区域才有一长度实质上未大于50微米(m)。3.如申请专利范围第1项之电晶体,其特征在于:由长方形面积之长边至晶片边缘之距离至少是晶片厚度之50%,较佳60%。4.如申请专利范围第1项之电晶体,其特征在于:配置多个分开之长方形面积,该等长方形面积具有彼此平行之长边且系置于相互一致之距离,此长方形面积系由一有对应于至少两倍由长方形面积长边至晶片边缘之最短距离的宽度之面积加以分开。图式简单说明:第一图系构成在SiC上之平行平面MESFET之诸巢横切面图;第二图系显示在一功率电晶体内诸多电晶体巢布置之简化平面图。第三图系显示温度分布有短指状之功率电晶体之平面视图。第四图a,第四图b系装置在一封包凸条与散热片上之第三图电晶体之透视图,其中数字显示温度分配。第五图系显示温度分配有长指状之功率电晶体之平面图。第六图a,第六图b系装在一封包凸缘与散热片上第五图电晶之透视图,其中数字显示温度分配,及第七图系按两平行列所配置有短指状之功率电晶体之平面图。