| 主权项 |
1.一种上视型(top view)穿透式电子显微镜(TEM)样品的制备方法,适用以检视晶片上的晶格缺陷,该方法包括下列步骤:(a)提供一晶片,其上形成有半导体元件,其中至少包含一主动区及一场氧化区;(b)逐层去除该晶片表面上之半导体元件,直到露出该场氧化区为止;(c)进行该晶片之晶背研磨(chip backside grinding)至一适当厚度为止;(d)以一倾斜角,从该晶片之晶背方向施行离子研磨(ion milling),直到裸露出该主动区与该场氧化区,以得到一包含该主动区与该场氧化区之平面样品。2.如申请专利范围第1项所述之制备方法,其中步骤(b)系以化学溶剂来逐层去除该晶片表面上之半导体元件。3.如申请专利范围第1项所述之制备方法,其中步骤(b)系以机械式的研磨逐层去除该晶片表面上之半导体元件。4.如申请专利范围第3项所述之制备方法,其中该晶片上之半导体元件更包括一复晶矽层,且在步骤(b)中更包括以一溶剂去除晶片上之复晶矽残余。5.如申请专利范围第1项所述之制备方法,其中在步骤(b)与步骤(c)之间,更包括以雷射在所欲观察的区域作上标记。6.如申请专利范围第1项所述之制备方法,其中步骤(c)该适当的厚度约30m。7.如申请专利范围第1项所述之制备方法,其中步骤(d)该平面样品的厚度小于2000。图式简单说明:第一图到第六图为一系列剖面图,用以说明本发明一较佳实施例之TEM样品的制备流程。 |
