| 主权项 |
1.一种形成阻障层之方法,该方法包括:提供一基底;形成一介电层于该基底上;定义该介电层,形成一开口,暴露出基底;形成一氧吸收层覆盖过该基底上,覆盖该介电层,且覆盖该开口之一周围表面;形成一阻障层于该氧吸收层上;以及该氧吸收层在后续高温制程步骤中,与该介电层中之氧原子反应,以转变形成为一氧化层。2.如申请专利范围第1项所述形成阻障层之方法,其中于形成该氧吸收层覆盖过该基底上之该步骤之前,又包括进行一预先溅镀之清洁制程于该介电层。3.如申请专利范围第1项所述形成阻障层之方法,其中该介电层包括低介电常数之材料。4.如申请专利范围第1项所述形成阻障层之方法,其中于形成该氧吸收层于该基底上的该步骤中,包括一物理气相沉积。5.如申请专利范围第1项所述形成阻障层之方法,其中于形成该氧吸收层于该基底上的该步骤中,包括一化学气相沉积。6.如申请专利范围第1项所述形成阻障层之方法,其中于形成该氧吸收层于该基底上的该步骤中,包括形成一钛材料层。7.如申请专利范围第1项所述形成阻障层之方法,其中于形成该氧吸收层于该基底上的该步骤中,包括形成一钽材料层。8.如申请专利范围第1项所述形成阻障层之方法,其中于形成该氧吸收层于该基底上的该步骤中,包括形成可与氧反应之一金属材料层。9.如申请专利范围第1项所述形成阻障层之方法,其中形成阻障层的该步骤中,包括形成一钽层,一氮化钽层,及一钽/氮化钽层三者择其一。10.如申请专利范围第1项所述形成阻障层之方法,其中形成该氧吸收层的该步骤中,该共形的氧吸收层,其一厚度为50埃到500埃之间。11.一种阻障层结构,包括:一基底;一介电层于该基底上,并具有一开口暴露该基底;一氧吸收层,覆盖该介电层之一表层,且覆盖该开口之一周围表面;以及一阻障层位于该氧吸收层上。12.如申请专利范围第11项所述之阻障层结构,其中该介电层包括含氧及低介电常数二者其一之介电材料。13.如申请专利范围第11项所述之阻障层结构,其中该氧吸收层有一厚度于50埃到500埃之间。14.如申请专利范围第11项所述之阻障层结构,其中该氧吸收层包括钛。15.如申请专利范围第11项所述之阻障层结构,其中该氧吸收层包括钽。16.如申请专利范围第11项所述之阻障层结构,其中该阻障层包括一钽层,一氮化钽层,及一钽/氮化钽层三者择其一。图式简单说明:第一图A及第一图B绘示一传统形成铜内连线的方法剖面图;以及第二图A-第二图C绘示依照本发明,一形成铜内连线结构的方法剖面图。 |
