| 主权项 |
1.一种制造电力元件之导线或终端之方法,其包括 涂覆一涂层于金属导线/终端上,扁平化该金属导 线/终端直到该经涂覆导线实质上变得较平滑而且 孔洞较少,以及实质上扁平化直到涂层厚度降低约 0.1%至约10%等步骤。2.根据申请专利范围第1项之方 法,其特征在于另外以扁平化直到涂层孔隙度降低 约80%至90%。3.根据申请专利范围第1或2项之方法, 其特征在于藉由滚动或压扁,或藉敲打,或藉铸造, 或藉锻造扁平化金属导线/终端。4.根据申请专利 范围第1项之方法,其中涂覆一涂层于电力元件之 金属导线/终端上的步骤包括以锡/铅组合物涂覆 该导线或终端,较佳系以80/20锡/铅组合物涂覆该导 线或终端。5.根据申请专利范围第1项之方法,其特 征在于涂覆一涂层于电力元件之金属导线/终端上 的步骤包括令该导线或终端进行一种锡/铅焊镀导 线之修饰方法,或令该导线或终端进行一种融熔热 焊接剂浸渍方法。6.根据申请专利范围第1项之方 法,其中涂覆一涂层于金属导线/终端上的步骤包 括以一涂层涂覆该导线或终端,其中该涂层基本上 系选自包含银、金、镍或锡。7.根据申请专利范 围第5或6项之方法,其中涂覆一涂层于电路之金属 导线上的步骤包括以一约2微英寸或更薄的金涂层 涂覆该导线。8.一种制造积体电路之金属导线之 方法,其包括涂覆一涂层于积体电路组的金属导线 上,扁平化该金属导线直到该经涂覆导线实质上变 得较平滑而且孔洞较少,涂覆该涂层于金属导线/ 终端上使该涂层上扁平化之前的厚度是约10微英 寸至约1000微英寸,而且扁平化后的涂层厚度降低 约0.1%至约10%,以及扁平化直到涂层的孔隙度降低 约80%至约90%等步骤。9.根据申请专利范围第8项之 方法,其特征在于藉由滚动,或藉压扁,或藉敲打,或 藉铸造,或藉锻造或藉敲打扁平化积体电路组之金 属导线。10.根据申请专利范围第8项之方法,其中 涂覆一涂层于积体电路组之金属导线上的步骤包 括以锡/铅组合物涂覆该导线,较佳系以80/20锡/铅 组合物涂覆该导线。11.根据申请专利范围第8项之 方法,其特征在于涂覆一涂层于积体电路之金属导 线上的步骤包括以一涂层涂覆该导线,其中该涂层 基本上系选自包含银、金、镍或锡,而且涂覆该积 体电路之金属导线包括令该导线进行一种融熔热 焊接剂浸渍方法。12.根据申请专利范围第8项之方 法,其特征在于中涂覆一涂层于积体电路之金属导 线上的步骤包括以一涂层涂覆该导线,其中该涂层 基本上系选自包含银、金、镍或锡。13.根据申请 专利范围第8项之方法,其中涂覆一涂层于积体电 路之金属导线上的步骤包括以一约2微英寸或更薄 的金涂层涂覆该导线。图式简单说明: 第一图是一个导线结构物图。 第二图(a)是一个导线之已涂覆表面放大3,000倍的 显微照片,其中左手边为已扁平化的导线涂层而右 手边是未扁平化的导线涂层。 第二图(b)是一个导线之已涂覆表面放大500倍的显 微照片,其中左手边为已扁平化的导线涂层而右手 边是未扁平化的导线涂层。 第三图(a)是一个导线之已涂覆表面放大3,000倍的 显微照片,其中该导线涂层未经扁平化。 第三图(b)是一个导线之已涂覆表面放大500倍的显 微照片,其中该导线涂层未经扁平化。 第四图(a)是一个导线之已涂覆表面放大3,000倍的 显微照片,其中该导线涂层经部份扁平化。 第四图(b)是一个导线之已涂覆表面放大500倍的显 微照片,其中该导线涂层曾经过敲打而部份扁平化 。 第五图(a)是一个导线结构物的表示图,其中该结构 物包括一铜底层、中间镍镀层及顶部焊接触剂镀 层。 第五图(b)是一个导线结构物的表示图,其中该结构 物包括一铜底层、中间镍镀层及顶部金镀层。 第五图(c)是一个导线结构物的表示图,其中该结构 物包括一铜底层、中间镍镀层及顶部钯镀层。 |
