| 主权项 |
1.一种半导体雷射之封装结构,其系具有一以金属 制成之正极导线架,该正极导线架具有一第一接脚 ,该第一接脚上结合一以金属制成之基座,该基座 上则结合一雷射晶片,另外,该正极导线架之一侧 具有一负极导线架,该负极导线架之后端具有一第 二接脚,该负极导线架与正极导线架之间具有一预 定间距,且该负极导线架上连接一导线之一端,该 导线之另一端则连接至该雷射晶片上,使该雷射晶 片可分别接受电源提供之电力,再者,该正极导线 架与负极导线架于结合该基座、雷射晶片及导线 一端之外侧包覆着一透明之外罩。2.依申请专利 范围第1项所述之半导体雷射之封装结构,其中,该 正极导线架之第一扩大部上基座之雷射晶片后侧 设有一光子测定器以吸收该雷射晶片之背向光源, 该光子测定器系使用了正极导线架连接电源所提 供之正电,而该光子测定器所需之负电则系于该第 一扩大部上之基座之后侧设一第三接脚,该第三接 脚与第一扩大部之相对侧面设有一以玻璃纤维制 成之绝缘层,而该第三接脚与光子测定器之间以第 二导线连接。3.依申请专利范围第1项所述之半导 体雷射之封装结构,其中,该第一接脚之前端具有 一向右侧延伸扩大之第一扩大部,该第一扩大部上 结合一以金属制成之基座。4.依申请专利范围第1 项所述之半导体雷射之封装结构,其中,该第二接 脚之前端则具有一第二扩大部,该负极导线架之第 二扩大部与正极导线架之第一扩大部之间则具有 该预定间距,且该第二扩大部上连接该导线之一端 。图式简单说明: 第一图系本创作之第一实施例之立体图。 第二图系本创作第一实施例之封装动作示意图(一 )。 第三图系本创作第一实施例之封装动作示意图(二 )。 第四图系本创作第一实施例之封装动作示意图(三 )。 第五图系本创作之第二实施例之立体图。 第六图系第五图之VI-VI剖视图。 第七图系习用半导体雷射之立体分解图。 第八图系另一种半导体雷射之立体图。 |
