| 发明名称 |
INTEGRATED MEMORY WITH MEMORY CELLS THAT ARE PROVIDED WITH RESPECTIVE FERROELECTRIC MEMORY TRANSISTORS |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
EP1163678(A1) |
申请公布日期 |
2001.12.19 |
| 申请号 |
EP20000926687 |
申请日期 |
2000.03.24 |
| 申请人 |
INFINEON TECHNOLOGIES AG |
发明人 |
HOENIGSCHMID, HEINZ;ULLMANN, MARC |
| 分类号 |
G11C11/22;(IPC1-7):G11C11/22 |
主分类号 |
G11C11/22 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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