发明名称 峰値侦测器
摘要 一种峰值侦测器,系由比较器、输入触发器、闸极宽度控制区块、及闸、两个电流源、两个开关器与电容器所组成。由于具有低频能量衰减能力,且其低频衰减可经由简单之线路作成可程式化,因此可真正的侦测出其平均之电压峰值。利用简单之电路架构,即可分辨出经电缆衰减之信号的平均能量,故可取代复杂之类比数位转换器等类似者来侦测线之衰减量,同时也可广泛应用在区域网路或传输介质为电缆、双绞线之相关产品上。
申请公布号 TW468050 申请公布日期 2001.12.11
申请号 TW089111022 申请日期 2000.06.07
申请人 旺宏电子股份有限公司 发明人 陈祈铭;陈碧芬
分类号 G01R19/04 主分类号 G01R19/04
代理机构 代理人 詹铭文 台北巿罗斯福路二段一○○号七楼之一
主权项 1.一种峰値侦测器,包括:一比较器,其正输入端接收一输入讯号;一输入触发器,其输入端接收该输入讯号;一闸极宽度控制区块,其输入端连接该输入触发器之输出端;一及闸,其输入端分别连接该比较器之输出端与该闸极宽度控制区块之输出端;一第一电流源,其输入端连接一电压源;一第二电流源,其输出端接地;一第一开关器,跨接于该第一电流源之输出端与该比较器之负输入端之间,且其开关状态受到该及间之输出端的讯号准位所控制;一第二开关器,跨接于该第二电流源之输入端与该比较器之负输入端之间,且其开关状态受到该闸极宽度控制区块之输出端的讯号准位所控制;以及一电容器,跨接于该比较器之负输入端与接地之间。2.如申请专利范围第1项所述之峰値侦测器,其中该第一开关器包括NMOS电晶体。3.如申请专利范围第1项所述之峰値侦测器,其中该第二开关器包括NMOS电晶体。图式简单说明:第一图绘示的是传统一种峰値侦测器的电路图;第二图A绘示的是传统峰値侦测器所侦测图之讯号波形范例图;第二图B绘示的是本发明之峰値侦测器所侦测出之讯号波形范例图;第三图A显示出第二图A之讯号波形经衰减后的示意图;第三图B显示出第二图B之讯号波形经衰减后的示意图;以及第四图绘示的是依照本发明一较佳实施例的一种峰値侦测器的电路图。
地址 新竹科学工业园区力行路十六号