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发明名称
Buried layer and method
摘要
A high resistivity silicon for RF passive operation including CMOS structures with implanted CMOS wells and a buried layer under the wells formed by deep implants during well implantations.
申请公布号
US2001048135(A1)
申请公布日期
2001.12.06
申请号
US20010798106
申请日期
2001.03.02
申请人
LEIPOLD DIRK
发明人
LEIPOLD DIRK
分类号
H01L21/02;H01L27/06;(IPC1-7):H01L31/119;H01L31/113;H01L29/76
主分类号
H01L21/02
代理机构
代理人
主权项
地址
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