| 主权项 |
1.一种快闪记忆体之制造方法,其包括:提供一基底,该基底上形成有一穿隧氧化层、一第一导电层与一第一材料层;于该第一导电层与该材料层所组成之一侧壁上形成一导电间隙壁;于该基底上方形成一第二材料层;移除部分该第二材料层,直到裸露出部分该导电间隙壁;移除剩余之该第二材料层与该第一材料层,直到裸露出该第一导电层以及该导电间隙壁,其中该第一导电层与该导电间隙壁组成一浮置闸;于该基底上方形成一介电膜层;以及于该介电膜层上形成一第二导电层。2.如申请专利范围第1项所述之快闪记忆体之制造方法,其中移除部分该第二材料层之步骤还包括同时移除该导电间隙壁之一顶部尖角。3.如申请专利范围第1项所述之快闪记忆体之制造方法,其中移除部分该第二材料层之方法包括回蚀刻法。4.如申请专利范围第1项所述之快闪记忆体之制造方法,其中移除部分该第二材料层之方法包括化学机械研磨法。5.如申请专利范围第1项所述之快闪记忆体之制造方法,其中该第二材料层之材质包括氧化矽。6.如申请专利范围第1项所述之快闪记忆体之制造方法,其中该第一材料层之材质包括氧化矽。7.如申请专利范围第1项所述之快闪记忆体之制造方法,其中该介电膜层包括氧化-氮化-氧化层。8.如申请专利范围第1项所述之快闪记忆体之制造方法,其中该第一材料层之材质与该第二材料层之材质相同。9.一种浮置闸之制造方法,其适用于一基底,其中该基底上形成有一穿隧氧化层、一导电层与一第一材料层,其方法包括:于该导电层与该材料层所组成之一侧壁上形成一导电间隙壁;于该基底上方形成一第二材料层;移除部分该第二材料层以及该导电间隙壁之一顶部尖角,并裸露出部分该导电间隙壁;以及移除剩余之该第二材料层与该第一材料层,直到裸露出该导电层以及该导电间隙壁,其中该导电层与该导电间隙壁组成一浮置闸。10.如申请专利范围第9项所述之浮置闸之制造方法,其中移除部分该第二材料层之方法包括回蚀刻法。11.如申请专利范围第9项所述之浮置闸之制造方法,其中移除部分该第二材料层之方法包括化学机械研磨法。12.如申请专利范围第9项所述之浮置闸之制造方法,其中该第二材料层之材质包括氧化矽。13.如申请专利范围第9项所述之浮置闸之制造方法,其中该第一材料层之材质包括氧化矽。14.如申请专利范围第9项所述之浮置闸之制造方法,其中该第一材料层之材质与该第二材料层之材质相同。图式简单说明:第一图至第六图系显示根据本发明较佳实施例之一种快闪记忆体之制造方法。 |
