| 主权项 |
1.一种制造高亮度发光二极体的方法,该方法至少包含以下步骤:提供一化合物基材;形成一双异质接面结构于该化合物基材上,其中于该双异质接面结构依序形成一第一型披覆层、一无掺质活性层及一第二型披覆层;形成一第二型欧姆接触属于该第二型披覆层上;贴合一透明介电层于该第二型欧姆接触层上;蚀刻移除该化合物基材;蚀刻该第一型披覆层及该无掺质活性层并以该第二型欧姆接触层为蚀刻停止层;形成一第一电极于该第一型欧姆接触层上;以及形成一第二电极于该第二型欧姆接触层上。2.如申请专利范围第1项所述之制造高亮度发光二极体的方法,其中上述之第一型若为N型则上述之第二型为P型。3.如申请专利范围第1项所述之制造高亮度发光二极体的方法,其中上述之第一型若为P型则上述之第二型为N型。4.如申请专利范围第1项所述之制造高亮度发光二极体的方法,其中上述之化合物基材的材质为砷化镓。5.如申请专利范围第1项所述之制造高亮度发光二极体的方法,其中上述之第一型披覆层的材质为磷化铝镓铟。6.如申请专利范围第1项所述之制造高亮度发光二极体的方法,其中上述之第二型披覆层的材质为磷化铝镓铟。7.如申请专利范围第1项所述之制造高亮度发光二极体的方法,其中上述之无掺质活性层之组成为磷化铝镓铟。8.如申请专利范围第7项所述之制造高亮度发光二极体的方法,其中上述之磷化铝镓铟成份比例为((AlxGa1-x)yIn1-yP),其中x、y较佳値为0≦x≦1,0≦y≦1。9.如申请专利范围第1项所述之制造高亮度发光二极体的方法,其中上述之透明介电层的材质至少包含氧化矽(SiOx)之玻璃材质,且该透明介电层于可见光范围内为透明材质。10.如申请专利范围第1项所述之制造高亮度发光二极体的方法,其中于贴合上述之透明介电层后,更包含对该透明介电层表面施以粗糙化处理制程。11.如申请专利范围第10项所述之制造高亮度发光二极体的方法,其中上述之粗糙化处理制程系利用一喷砂技术。12.一种制造高亮度发光二极体的方法,该方法至少包含以下步骤:提供一化合物基材;形成一双异质接面结构于该化合物基材上,其中于该双异质接面结构依序形成一蚀刻终止层、第一型欧姆接触层、第一型披覆层、一无掺质活性层以及一第二型披覆层;形成一第二型欧姆接触层于该第二型披覆层上;热压贴合一透明介电层于该第二型欧姆接触层上;利用一喷砂技术对该透明介电层表面实施粗糙化处理;蚀刻移除该化合物基材;蚀刻该第一型披覆层及该无掺质活性层并以该第二型欧姆接触层为蚀刻停止层;以及同时形成一第一电极于该第一型欧姆接触层上,以及形成一第二电极于该第二型欧姆接触层上。13.如申请专利范围第12项所述之制造高亮度发光二极体的方法,其中上述之第一型若为N型则上述之第二型为P型。14.如申请专利范围第12项所述之制造高亮度发光二极体的方法,其中上述之第一型若为P型则上述之第二型为N型。15.如申请专利范围第12项所述之制造高亮度发光二极体的方法,其中上述之化合物基材的材质为砷化镓。16.如申请专利范围第12项所述之制造高亮度发光二极体的方法,其中上述之第一型披覆层的材质为磷化铝镓铟。17.如申请专利范围第12项所述之制造高亮度发光二极体的方法,其中上述之第二型披覆层的材质为磷化铝镓铟。18.如申请专利范围第12项所述之制造高亮度发光二极体的方法,其中上述之无掺质活性层之组成为磷化铝镓铟。19.如申请专利范围第18项所述之制造高亮度发光二极体的方法,其中上述之磷化铝镓铟成份比例为((AlxGa1-x)yIn1-yP),其中,0≦x≦1,0≦y≦1。20.如申请专利范围第12项所述之制造高亮度发光二极体的方法,其中上述之透明介电层的材质至少包含氧化矽(SiOx)之玻璃材质,且该透明介电层于可见光范围内为透明材质。图式简单说明:第一图A为依据习知技术中使用砷化镓化合物作为基材之截面示意图;第一图B为依据习知技术中使用磷化镓化合物作为基材之截面示意图;第二图为依据习知技术中于砷化镓化合物基材上形成多层薄膜之布拉格反射层之截面示意图;第三图为依据本发明之以玻璃贴合于第二型欧姆接触层之截面示意图;第四图为依据本发明之对玻璃层表面实施粗糙化处理之截面示意图;第五图为依据本发明之移除砷化镓化合物基材之截面示意图;以及第六图为依据本发明之形成电极以利于导线连接至导线架之截面示意图。 |
