| 主权项 |
1.一种用于制造一雷射二极体的方法,该方法包含下列步骤:在一基体上依序形成一第一导电型式护套层,一活性层,一第二导电型式护套层,及一第二导电型式覆盖层;去除第二导电型式覆盖层中的一部份;在包含第二导电型式覆盖层的整个表面上形成一介质层,且部份去除该介质层的一部份,以曝露出第二导电型式护套层;使用留下的介质层作为光罩,蚀刻曝露出来的第二导电型式护套层至其下层一段预定的深度;在曝露区域中依序形成一第二导电型式电流封锁层及一第一导电型式电流封锁层;以及去除其余的介质层以分别在基体的上方及下方形成一金属层。2.如申请专利范围第1项之用于制造一雷射二极体的方法,其中该第二导电型式覆盖层具有多个条带形结构。3.如申请专利范围第1项之用于制造一雷射二极体的方法,其中形成该第一及第二导电型式电流封锁层的材料的能带隙小于由该雷射二极体产生之光的能带隙。4.如申请专利范围第1项之用于制造一雷射二极体的方法,其中该第二导电型式电流封锁层比活性层厚,且不与该第一及第二导电型式护套层接触。5.如申请专利范围第1项之用于制造一雷射二极体的方法,其中该蚀刻深度系从曝露的第二导电型式护套层到第一导电型式护套层的某一深度,或者是到该基体的某一深度处。6.一种具有多个单元雷射二极体装置的雷射二极体,此雷射二极体包含:进入对应之雷射二极体装置某一深度的蚀刻区域;以及在蚀刻区之下表面上具有某一厚度的多个电流层,用于彼此隔离对应的雷射二极体。7.如申请专利范围第6项之雷射二极体,其中该电流层具有不同的导电型式。8.如申请专利范围第6项之雷射二极体,其中在对应的蚀刻区之间形成多个单元雷射二极体装置。图式简单说明:第一图说明习知技术之雷射二极体的局部视图;以及第二图A至第二图G说明依据本发明之雷射二极体的制造步骤之局部视图。 |
