| 主权项 |
1.一种第3族氮化物系化合物半导体基板之制造方法,其特征在于,系具有下述制程:(a)于基板上,形成由第1之第3族氮化物系化合物半导体所构成、具有落差之第1半导体膜的制程;(b)于上述第1半导体膜上,形成与上述第1之第3族氮化物系化合物半导体具有不同热膨胀系数的由第2之第3族氮化物系化合物半导体所构成之第2半导体膜的制程;以及(c)冷却上述基板,将上述第2半导体膜自上述第1半导体膜分离出来的制程。2.如申请专利范围第1项之第3族氮化物系化合物半导体基板之制造方法,其中,上述(a)之制程系包含:(a-1)于上述基板上,形成由上述第1之第3族氮化物系化合物半导体所构成之膜的制程;以及(a-2)除去上述膜的一部分,以形成具有复数个槽之第1半导体膜的制程。3.如申请专利范围第2项之第3族氮化物系化合物半导体基板之制造方法,于上述(a-2)制程中,上述复数之槽系形成为条纹状。4.如申请专利范围第3项之第3族氮化物系化合物半导体基板之制造方法,其中,上述基板系(0001)面之蓝宝石基板,上述槽系形成于[11-20]方向上。5.如申请专利范围第1项之第3族氮化物系化合物半导体基板之制造方法,其中,上述(a)之制程系包含:(a-1)于上述基板上,依序形成由上述第1之第3族氮化物系化合物半导体所构成之膜以及绝缘膜之制程;以及(a-2)除去上述膜的一部分,以形成具有复数个槽之第1半导体膜的制程。6.如申请专利范围第5项之第3族氮化物系化合物半导体基板之制造方法,于上述(a-2)制程中,上述复数个槽系形成为条纹状。7.如申请专利范围第6项之第3族氮化物系化合物半导体基板之制造方法,其中,上述基板系(0001)面之蓝宝石基板,上述槽系形成于[11-20]方向上。8.如申请专利范围第5项之第3族氮化物系化合物半导体基板之制造方法,其中,上述绝缘膜系由择自SiO2与Si3N4之至少一种所构成。9.如申请专利范围第5项之第3族氮化物系化合物半导体基板之制造方法,系于上述制程(b)之后、上述制程(c)之前,进一步包含将上述绝缘膜选择性地除去的制程。10.如申请专利范围第1项之第3族氮化物系化合物半导体基板之制造方法,其中,上述第1之第3族氮化物系化合物半导体之晶格常数较上述第2之第3族氮化物系化合物半导体之晶格常数为小。11.如申请专利范围第1项之第3族氮化物系化合物半导体基板之制造方法,其中,上述第1之第3族氮化物系化合物半导体系AlxGa1-xN(其中,0<X≦1),上述第2之第3族氮化物系化合物半导体系GaN。12.如申请专利范围第1项之第3族氮化物系化合物半导体基板之制造方法,其中,上述(c)之制程系于冷却上述基板后,进一步包含加热、冷却上述基板的制程。图式简单说明:第一图a-第一图d所示系本发明之第3族氮化物系化合物半导体基板之制造方法之一例的制程图。第二图所示系第一图(b)制程中,槽13b之形状之一例的俯视图。第三图所示系槽13b之一例的截面图。第四图a-第四图d所示系本发明之第3族氮化物系化合物半导体基板之制造法之另一例的制程图。第五图系以示意的方式显示于本发明之第3族氮化物系化合物半导体基板之制造方法所使用的HVPE装置之一例的截面图。第六图系以示意的方式显示Al0.1Ga0.9N层44与GaN层71之交界所产生之裂痕图。第七图a-第七图d所示系本发明之第3族氮化物系化合物半导体基板之制造方法之另一例的制程图。第八图a-第八图d所示系习知之第3族氮化物系化合物半导体基板之制造方法之一例的制程图。 |
