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发明名称
半导体积体电路导线架之改良结构
摘要
本创作系有一种可以降低导线架与晶片接触面积,避免构装中脱层或空隙产生,并可提高导线架的共用性之半导体积体电路导线架结构;此改良结构系在导线架之晶片座上设立多数之凸点,在将晶片黏接于晶片座上时,只要在凸点上加上黏接剂,再将晶片放上即可,此凸点可形成黑胶树脂可灌注之空间,避免脱层或空隙产生。此外可依据待构装晶片之大小,决定凸点数目及位置。
申请公布号
TW465807
申请公布日期
2001.11.21
申请号
TW087208512
申请日期
1998.05.29
申请人
上宝半导体股份有限公司
发明人
资重兴
分类号
H01L23/495
主分类号
H01L23/495
代理机构
代理人
樊贞松 台北巿仁爱路四段三七六号十三楼之一;王云平 台北巿仁爱路四段三七六号十三楼之一
主权项
1.一种半导体积体电路导线架之改良结构,在此导线架之晶片座上设立多数之凸点,在将晶片黏接于晶片座上时,只要在凸点处加上黏接剂即可黏上晶片,此凸点可形成黑胶树脂可灌注之空间,避免脱层或空隙产生。2.如申请专利范围第1项之半导体积体电路导线架之改良结构,其中可依据待构装晶片之大小,决定凸点数目及位置。图式简单说明:第一图为习知积体电路构装结构之剖面图;第二图为习知积体电路导线架之平面图;第三图为本创作积体电路导线架之部份立体图;及第四图为本创作积体电路构装结构之剖面图。
地址
桃园县龙潭乡中丰路高平段一号
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