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1.一种利用吸气层(Gettering Layer)改善快闪记忆体于 化学机械研磨(CMP)制程的方法,包括: 提供一基板,该基板上已完成至少一层之记忆体结 构; 沉积一第一介电层,该第一介电层形成于该基板上 ,覆盖该基板上之该记忆体结构; 沉积一吸气层(Gettering Layer),该吸气层形成覆盖于 该第一介电层表面; 形成一第二介电层,该第二介电层形成覆盖于该吸 气层表面; 平坦化该第二介电层,系使用一化学机械研磨机以 研磨平坦该第二介电层。2.如申请专利范围第1项 所述之方法,其中该第一介电层之材质,系可为一 未掺杂矽玻璃(Undoped Silicate Glass, USG)或其他介电 物质。3.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该 吸气层(Gettering Layer)之材质,系为一氮氧矽化合物( SiOxNy)。4.如申请专利范围第3项所述之方法,其中 该吸气层(Gettering Layer)之氮氧矽化合物(SiOxNy),当 DUV为248A时,其RI値约在1.9-2.5间。5.如申请专利范围 第3项所述之方法,其中该吸气层(Gettering Layer)之氮 氧矽化合物(SiOxNy),当DUV为248A时,其K値约在0.4-0.7间 。6.如申请专利范围第3项所述之方法,其中该吸气 层(Gettering Layer)之氮氧矽化合物(SiOxNy)厚度约为100 -1000埃(ANG)。7.如申请专利范围第3项所述之方法, 其中该吸气层(Gettering Layer)之氮氧矽化合物(SiOxNy) ,系以一化学气相沉积(CVD)形成。8.如申请专利范 围第3项所述之方法,其中形成沉积该氮氧矽化合 物(SiOxNy)之温度为300-500℃,压力为4-7torr,功率为100- 140W。 8.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该第二介 电层可为一磷玻璃(PSG)、硼磷玻璃(BPSG)或其他介 电物质。9.一种使用如申请专利范围第1项所述之 方法所形成之半导体结构,包括: 一基板,该基板上已完成至少一层之记忆体结构; 一第一介电层,该第一介电层形成于该基板上,覆 盖该基板上之该记忆体结构; 一吸气层(Gettering Layer),该吸气层形成覆盖于该第 一介电层表面; 一第二介电层,该第二介电层形成覆盖于该吸气层 表面,且使用一化学机械研磨机以研磨平坦化该第 二介电层。10.如申请专利范围第9项所述之半导体 结构,其中该第一介电层之材质,系可为一未掺杂 矽玻璃(Undoped Silicate Glass, USG)或其他介电物质。11 .如申请专利范围第9项所述之半导体结构,其中该 吸气层(Gettering Layer)之材质,系为一氮氧矽化合物( SiOxNy)。12.如申请专利范围第11项所述之半导体结 构,其中该吸气层(Gettering Layer)之氮氧矽化合物( SiOxNy),当DUV为248A时,其RI値约在1.9-2.5间。13.如申请 专利范围第11项所述之半导体结构,其中该吸气层( Gettering Layer)之氮氧矽化合物(SiOxNy),当DUV为248A时, 其k値约在0.4-0.7间。14.如申请专利范围第11项所述 之半导体结构,其中该吸气层(Gettering Layer)之氮氧 矽化合物(SiOxNy)厚度约为100-1000埃(ANG)。15.如申请 专利范围第11项所述之半导体结构,其中该吸气层( Gettering Layer)之氮氧矽化合物(SiOxNy),系以一化学气 相沉积(CVD)形成。16.如申请专利范围第11项所述之 半导体结构,其中形成沉积该氮氧矽化合物(SiOxNy) 之温度为300-500℃,压力为4-7torr,功率为100-140W。17. 如申请专利范围第9项所述之半导体结构,其中该 第二介电层可为一磷玻璃(PSG)、硼磷玻璃(BPSG)或 其他介电物质。图式简单说明: 第一图为习知使用在层间介电层的介电材料结构 示意图; 第二图(A)-第二图(E)为本发明之一种利用吸气层改 善快闪记忆体于化学机械研磨制程的方法示意图; 第三图(A)为利用本发明之实施例所制造之记忆体 结构示意图; 第三图(B)为本发明实施例所制造之记忆体元件测 试数据値与传统制程所形成元件测试数据之比较 图。 |
