发明名称 | 选择性化学镀制备纳米间隙电极的方法 | ||
摘要 | 选择性化学镀制备纳米间隙电极的方法是一种制备纳米级电子器件的方法,第一步:通过一般的光刻技术加工出所需的双电极结构的器件,其中电极可为任意金属材料,基底为硅基材料;第二步:通过分子组装技术获得暴露的硅基材料表面的光敏薄层,通过浸涂工艺涂上一层化学镀引发剂层,通过显影工艺将已曝光的自组装光敏层去除,只留下金属材料表面的引发剂层;第三步:在调制引发剂层图形的基础上进行化学镀,获得纳米尺度间隙的双电极结构器件。 | ||
申请公布号 | CN1322855A | 申请公布日期 | 2001.11.21 |
申请号 | CN01113578.6 | 申请日期 | 2001.04.26 |
申请人 | 东南大学 | 发明人 | 顾宁;徐丽娜;黄岚 |
分类号 | C23C18/06;H01L21/288;H01L21/445 | 主分类号 | C23C18/06 |
代理机构 | 南京经纬专利代理有限责任公司 | 代理人 | 沈廉 |
主权项 | 1.一种选择性化学镀制备纳米间隙电极的方法,其特征在于其制备的方法主要分三个步骤:第一步:起始双电极结构的加工,即通过一般的光刻技术加工出所需的双电极结构的器件,其中电极为任意金属材料(1),基底为硅基材料(2);第二步:在以上加工的双电极结构的表面通过分子组装技术获得暴露的硅基材料表面的光敏薄层(3),再在整个器件上表面通过浸涂工艺涂上一层化学镀引发剂层(4),通过显影工艺将已曝光的自组装光敏层去除,只留下金属材料(1)表面的引发剂层(4);第三步:在调制引发剂层图形的基础上进行化学镀在原始电极表面沉积上一层金属膜(5),获得纳米尺度间隙的双电极结构器件。 | ||
地址 | 210096江苏省南京市四牌楼二号 |