| 主权项 |
1.一种有机电激发光元件,其中至少包括:一塑胶基板,具有一第一表面与一第二表面;一第一复合膜层,配置于该第一表面;一第二复合膜层,配置于该第二表面;一透明电极,配置于该第一复合膜层上,且该第一复合膜层位于该塑胶基板与该透明电极之间;一有机发光层,配置于该透明电极上,且该透明电极位于该第一复合膜层与该有机发光层之间;一金属电极,配置于该有机发光层上,且该有机发光层位于该透明电极与该金属电极之间;以及一保护层,配置于该金属电极上,并将该金属电极与该有机发光层完全包覆。2.如申请专利范围第1项所述之有机电激发光元件,其中该塑胶基板之材质包括聚碳酸酯(PC)。3.如申请专利范围第1项所述之有机电激发光元件,其中该塑胶基板之材质包括聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)。4.如申请专利范围第1项所述之有机电激发光元件,其中该塑胶基板之材质包括聚酯树脂(PET)。5.如申请专利范围第1项所述之有机电激发光元件,其中该塑胶基板之材质包括环氧树脂(Epoxy)。6.如申请专利范围第1项所述之有机电激发光元件,其中该塑胶基板之厚度不大于0.25毫米。7.如申请专利范围第1项所述之有机电激发光元件,其中该第一复合膜层包括二氧化钛-二氧化矽复合膜层。8.如申请专利范围第7项所述之有机电激发光元件,其中该第一复合膜层中二氧化钛之含量范围为0%至100%。9.如申请专利范围第1项所述之有机电激发光元件,其中该第一复合膜层之厚度约为20毫微米至150毫微米。10.如申请专利范围第1项所述之有机电激发光元件,其中该第二复合膜层包括二氧化钛-二氧化矽复合膜层。11.如申请专利范围第10项所述之有机电激发光元件,其中该第二复合膜层中二氧化钛之含量范围为0%至100%。12.如申请专利范围第1项所述之有机电激发光元件,其中该第二复合膜层之厚度约为20毫微米至150毫微米。13.如申请专利范围第1项所述之有机电激发光元件,其中该透明电极之材质包括铟锡氧化物。14.如申请专利范围第1项所述之有机电激发光元件,其中该透明电极之厚度约为30毫微米至400毫微米。15.如申请专利范围第1项所述之有机电激发光元件,其中该透明电极之面电阻小于100欧姆/平方公分。16.如申请专利范围第1项所述之有机电激发光元件,其中该有机发光层系由单层有机发光材料构成。17.如申请专利范围第1项所述之有机电激发光元件,其中该有机发光层系由复数层有机发光材料叠合构成。18.如申请专利范围第1项所述之有机电激发光元件,其中该有机发光层之材质包括小分子有机发光材料。19.如申请专利范围第1项所述之有机电激发光元件,其中该有机发光层之材质包括高分子有机发光材料。20.如申请专利范围第1项所述之有机电激发光元件,其中该金属电极系由单层金属材料构成。21.如申请专利范围第1项所述之有机电激发光元件,其中该金属电极系由复数层金属材料叠合构成。22.如申请专利范围第1项所述之有机电激发光元件,其中该金属电极之材质系选自于由锂、镁、钙、铝、银、铟及其等之组合所组成的族群中之材料。23.如申请专利范围第1项所述之有机电激发光元件,其中该保护层之材质包括二氧化矽。24.如申请专利范围第1项所述之有机电激发光元件,其中该保护层之厚度约为20毫微米至150亳微米。25.一种可弯曲有机电激发光元件,其中至少包括:一塑胶基板,具有一第一表面与一第二表面;一第一二氧化钛-二氧化矽膜层,配置于该第一表面;一第二二氧化钛-二氧化矽膜层,配置于该第二表面;一铟锡氧化物电极,配置于该第一二氧化钛-二氧化矽膜层上,且该第一二氧化钛-二氧化矽膜层位于该塑胶基板与该铟锡氧化物电极之间;一有机发光层,配置于该透明电极上,且该透明电极位于该第一二氧化钛-二氧化矽膜层与该有机发光层之间;一金属电极,配置于该有机发光层上,且该有机发光层位于该透明电极与该金属电极之间;以及一二氧化矽保护层,配置于该金属电极上,并将该金属电极与该有机发光层完全包覆。26.如申请专利范围第25项所述之可弯曲有机电激发光元件,其中该塑胶基板之材质系选自于由聚碳酸酯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚酯树脂及环氧树脂所组成之族群中的材料。27.如申请专利范围第25项所述之可弯曲有机电激发光元件,其中该第一二氧化钛-二氧化矽膜层中二氧化钛之含量范围为0%至100%。28.如申请专利范围第25项所述之可弯曲有机电激发光元件,其中该第一二氧化钛-二氧化矽膜层之厚度约为20毫微米至150毫微米。29.如申请专利范围第25项所述之可弯曲有机电激发光元件,其中该第二二氧化钛-二氧化矽膜层中二氧化钛之含量范围为0%至100%。30.如申请专利范围第25项所述之可弯曲有机电激发光元件,其中该第二二氧化钛-二氧化矽膜层之厚度约为20毫微米至150毫微米。31.如申请专利范围第25项所述之可弯曲有机电激发光元件,其中该有机发光层之材质包括小分子有机发光材料。32.如申请专利范围第25项所述之可弯曲有机电激发光元件,其中该有机发光层之材质包括高分子有机发光材料。33.如申请专利范围第25项所述之可弯曲有机电激发光元件,其中该二氧化矽保护层之厚度约为20亳微米至150毫微米。34.一种有机电激发光元件之制作方法,其中至少包括下列步骤:提供一塑胶基板,该塑胶基板具有一第一表面与一第二表面;分别于该第一表面上形成一第一复合膜层,于该第二表面形成一第二复合膜层;于该第一复合膜层上形成一透明电极;于该透明电极上形成一有机发光层;于该有机发光层上形成一金属电极;以及于该金属电极上形成一保护层,将该金属电极与该有机发光层完全包覆。35.如申请专利范围第34项所述有机电激发光元件之制作方法,其中形成该第一复合膜层之方法包括低温离子辅助电子枪蒸镀法。36.如申请专利范围第35项所述有机电激发光元件之制作方法,其中形成该第一复合膜层之温压低于摄氏100度。37.如申请专利范围第34项所述有机电激发光元件之制作方法,其中形成该第一复合膜层之材质包括二氧化钛与二氧化矽。38.如申请专利范围第34项所述有机电激发光元件之制作方法,其中形成该第二复合膜层之方法包括低温离子辅助电子枪蒸镀法。39.如申请专利范围第38项所述有机电激发光元件之制作方法,其中形成该第一复合膜层之温度低于摄氏100度。40.如申请专利范围第34项所述有机电激发光元件之制作方法,其中形成该第一复合膜层之材质包括二氧化钛与二氧化矽。41.如申请专利范围第34项所述有机电激发光元件之制作方法,其中形成该透明电极之方法包括低温离子辅助电子枪蒸镀法。42.如申请专利范围第41项所述有机电激发光元件之制作方法,其中形成该透明电极之温度低于摄氏100度。43.如申请专利范围第34项所述有机电激发光元件之制作方法,其中形成该透明电极之材质包括铟锡氧化物。44.如申请专利范围第34项所述有机电激发光元件之制作方法,其中形成该有机发光层之材质包括小分子有机发光材料。45.如申请专利范围第44项所述有机电激发光元件之制作方法,其中形成该有机发光层之方法包括热蒸镀法。46.如申请专利范围第34项所述有机电激发光元件之制作方法,其中形成该有机发光层之材质包括高分子有机发光材料。47.如申请专利范围第46项所述有机电激发光元件之制作方法,其中形成该有机发光层之方法包括旋转涂布法。48.如申请专利范围第34项所述有机电激发光元件之制作方法,其中形成该保护层之材质包括二氧化矽。49.如申请专利范围第34项所述有机电激发光元件之制作方法,其中形成该保护层之方法包括低温离子辅助电子枪蒸镀法。50.如申请专利范围第49项所述有机电激发光元件之制作方法,其中形成该保护层之温度低于摄氏100度。51.一种可弯曲有机电激发光元件之制作方法,其中至少包括下列步骤:提供一塑胶基板,该塑胶基板具有一第一表面与一第二表面;以低温离子辅助电子枪蒸镀法分别于该第一表面上形成一第一二氧化钛-二氧化矽膜层,于该第二表面形成一第二二氧化钛-二氧化矽膜层;以低温离子辅助电子枪蒸镀法于该第一二氧化钛-二氧化矽膜层上形成一铟锡氧化物电极;于该铟锡氧化物电极上形成一有机发光层;以热蒸镀法于该有机发光层上形成一金属电极;以及以低温离子辅助电子枪蒸镀法于该金属电极上形成一二氧化矽保护层,将该金属电极与该有机发光层完全包覆。52.如申请专利范围第51项所述可弯曲有机电激发光元件之制作方法,其中形成该第一二氧化钛-二氧化矽膜层之温度低于摄氏100度。53.如申请专利范围第51项所述可弯曲有机电激发光元件之制作方法,其中形成该第二二氧化钛-二氧化矽膜层之温度低于摄氏100度。54.如申请专利范围第51项所述可弯曲有机电激发光元件之制作方法,其中形成该铟锡氧化物电极之温度低于摄氏100度。55.如申请专利范围第51项所述可弯曲有机电激发光元件之制作方法,其中形成该有机发光层之材质包括小分子有机发光材料。56.如申请专利范围第55项所述可弯曲有机电激发光元件之制作方法,其中形成该有机发光层之方法包括热蒸镀法。57.如申请专利范围第51项所述可弯曲有机电激发光元件之制作方法,其中形成该有机发光层之材质包括高分子有机发光材料。58.如申请专利范围第57项所述可弯曲有机电激发光元件之制作方法、其中形成该有机发光层之方法包括旋转涂布法。59.如申请专利范围第51项所述可弯曲有机电激发光元件之制作方法,其中形成该二氧化矽保护层之温度低于摄氏100度。图式简单说明:第一图所绘示为习知一种塑胶有机电激发光元件之结构示意图;第二图A至第二图F所绘示为依照本发明之较佳实施例,一种有机电激发光元件及其制作方法,其制作流程之剖面示意图;以及第三图所绘示为镀有与未镀二氧化钛-二氧化矽复合膜之聚碳酸酯塑胶基材,于相对湿度95%,摄氏25度之恒湿恒温环境中4小时后,其穿透率与入射光波长之间的实验数据图。 |
