| 摘要 |
<p>열용장 회로를 구비한 반도체 기억 장치에서, 입출력의 비트수가 많더라도 정상적으로 동작시킨다. 개시되는 반도체 기억 장치는, 여러개의 메모리 셀로 이루어지는 메모리 셀 데이타 열과, 용장 메모리 셀과, 입출력 라인들과, 입출력 라인에 대응하여 설치되고 제어 전압에 따라 인접하는 메모리 셀 열중 어느 한쪽과 대응하는 입출력 라인을 접속하는 스위치와, 일단에 전원 전압 Vcc가 인가되고 타단의 전위가 전원 전압 Vcc 또는 그라운드 GND로 고정되며 서로의 접속점의 전압이 제어 전압으로서 스위치에 각각 공급되는 직렬 접속된 퓨즈와, 스위치의 제어 전압을 'H' 레벨 또는 'L' 레벨로 고정하는 제어 전압 고정 회로를 구비하여 이루어진다.</p> |
