| 摘要 |
<p>본 발명은 이불화붕소(BF)를 P-웰 형성용 도펀트로 사용하고, 그리고, 2단계에 걸친 어닐링으로 상기 P-웰 내에 존재하는 잔류 불소(F)를 제거하는 이불화붕소(BF)의 이온주입과 다단계 어닐링을 이용한 반도체 소자의 삼중-웰 형성방법을 개시한다. 개시된 본 발명의 삼중-웰 형성방법은, 소자 영역을 한정하는 소자분리막들이 형성되고, 상기 소자 영역의 표면에는 스크린 산화막이 형성된 P형 기판을 제공하는 단계; 상기 P형 기판 상에 소자 영역을 노출시키는 제1이온주입 마스크를 형성하는 단계; 상기 노출된 P형 기판의 소자 영역 내에 N형 불순물을 이온주입한 후, 어닐링을 수행하여 N-웰을 형성하는 단계; 상기 제1이온주입 마스크를 제거하는 단계; 상기 N-웰이 형성된 상기 P형 기판 상에 상기 N-웰의 일부분을 노출시키는 제2이온주입 마스크를 형성하는 단계; 상기 노출된 N-웰 내에 이불화붕소(BF)를 이온주입한 후, 어닐링을 수행하여 P-웰을 형성하는 단계; 상기 제2이온주입 마스크 및 상기 스크린 마스크를 제거하는 단계; 및 상기 P-웰 내에 존재하는 불소(F)가 제거되도록, 상기 결과물에 대한 1차 및 2차 어닐링을 연속적으로 수행하는 단계를 포함하여 이루어진다.</p> |
