| 摘要 |
본 발명은, 고체촬상장치, 특히, 소량의 전하를 취급하는 소형의 화소를 구비한 고체촬상장치에 관한 것이다, 상기 고체촬상장치는, 빛을 전하로 변환하는 광전변환부(a)와, 상기 전하를 전송하는 전송부(b)와, 전송된 전하를 전압으로 변환하는 부유확산층(c)과, 상기 전압을 증폭하여 출력하는 다단으로 구성된 소스폴로어회로(d)를 포함하는 것으로서, 초단 MOSFET의 드레인 전위가 공급되는 배선과 게이트전극과의 거리가, 제2단 또는 그 다음단의 MOSFET의 드레인 전위가 공급되는 배선과 게이트전극과의 거리보다 더 길게 되어 있는 것을 특징으로 한다. 상기의 고체촬상장치에 의하면, 초단 MOSFET의 게이트전극의 용량을 저감시킨는 것이 가능하므로, 소량의 전하량을 취급하는 소형의 화소를 구비한 고체촬상장치라도 고감도를 확보할 수가 있게 된다. |
