| 摘要 |
<p>본 발명은 다중 금속 배선을 가지는 1T/1C 불휘발성 강유전체 기억소자 및 이를 형성하는 방법에 관한 것으로서, 콘택플러그를 통해 트랜지스터와 전기적으로 연결되는 강유전 커패시터를 패터닝 한 후, 콘택플러그 상에 형성되는 산화방지막이 커패시터를 덮는 확산방지막 열처리 후 패터닝 되기 때문에, 확산방지막 열처리시 상기 콘택플러그가 산소분위기에 노출되지 않아 커패시터 하부전극과 콘택플러그 사이의 옴성 접촉(ohmic contact)을 효과적으로 형성할 수 있다. 또한 본 발명에 따르면, 비트라인, 워드라인 스트랩 라인 그리고 플레이트 라인이 모두 금속으로 형성되기 때문에, 저저항 배선을 형성할 수 있으며, 소자의 동작특성을 향상 시킬 수 있다.</p> |
