| 摘要 |
<p>본 발명은 에어갭을 갖는 반도체 소자의 다층 보호막 형성 방법에 관한 것으로서, 특히 그 방법은 반도체 기판 상부에 반도체 소자 및 다층의 금속 배선으로 이루어진 구조물을 형성하고, 상기 구조물 상부에 갭필 특성이 없도록 절연 물질을 증착하여 최종 금속 배선 사이에 에어갭을 갖는 제 1보호막을 형성한 후에 동일 반응 챔버에서 제 1보호막 상부에 실리콘산화질화막 내지 실리콘질화막 중에서 어느 한 막을 증착하여 제 2보호막을 형성한다. 이에 따라, 본 발명은 다층 배선을 갖는 반도체소자의 보호막 형성시 1차로 고밀도 플라즈마 장비에서 스퍼터 식각 없이 증착만 이루어지게 갭필 특성이 없는 절연 물질을 증착한 후에 그 위에 2차로 고밀도 플라즈마 장비를 이용하여 갭필 특성이 있는 절연 물질을 증착함으로써 배선 사이의 좁은 간격을 매립하는 하부 보호막 내에 에어갭을 형성하여 배선 사이의 커패시턴스를 줄이고 배선 저항 특성을 높인다.</p> |
