AN INTEGRATED CIRCUIT MEMORY DEVICE WITH HIERARCHICAL WORD LINE STRUCTURE

摘要

다이내믹 랜덤 액세스 메모리 장치는 서브 워드 라인을 승압 전압 레벨로 구동하기 위한 서브 워드 라인 드라이버들을 포함한다. 각 서브 워드 라인 드라이버는 메인 워드 디코드 신호 및 서브 워드 디코드 신호에 응답하여 대응하는 서브 워드 라인을 구동하기 위한 서브 워드 드라이브 신호를 발생한다. 서브 워드 라인 드라이버들 각각은 서로 다른 드레솔드 전압을 갖는 N-채널 MOS 풀-업 트랜지스터 및 N-채널 MOS 프리차지 트랜지스터를 포함한다. 상기 풀-업 트랜지스터의 전류 통로는 상기 서브 워드 디코드 신호와 대응하는 서브 워드 라인 사이에 형성된다. 상기 프리차지 트랜지스터는 상기 메인 워드 라인과 상기 풀-업 트랜지스터의 제어 전극 사이에 연결된 전류 통로를 갖는다. 상기 프리차지 트랜지스터의 제어 전극은 상기 승압 전압과 연결된다. 상기 승압 전압은 상기 풀-업 트랜지스터의 드레솔드 전압의 두 배만큼 상기 전원 전압보다 높다. 상기 프리차지 트랜지스터의 드레솔드 전압은 상기 풀-업 트랜지스터의 그것보다 낮다.