| 发明名称 |
Kristallisation von amorphen Siliziumschichten auf nichtleitenden Substraten durch Festphasenepitaxie |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
DE69615519(D1) |
申请公布日期 |
2001.10.31 |
| 申请号 |
DE19966015519 |
申请日期 |
1996.12.19 |
| 申请人 |
XEROX CORP., ROCHESTER |
发明人 |
KING, TSU-JAE;HO, JACKSON H. |
| 分类号 |
H01L21/02;H01L21/20;H01L21/336;H01L27/12;H01L29/786;(IPC1-7):H01L21/20 |
主分类号 |
H01L21/02 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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