| 摘要 |
본 발명은 집적회로 제조시, 홈 (2)이 있는 반도체 기판(웨이퍼)(1)의 표면 상에 고순도 구리의 도체 구조를 전해적으로 형성시키는 방법에 관한 것이다. 본 발명의 방법은 하기의 단계들을 포함한다: a) 홈 (2)이 있는 반도체 기판 (1)의 전체 표면을 기본 금속 층으로 코팅하여, 전해 증착을 위한 충분한 전도도를 수득하고; b) 반도체 기판을 구리 증착조와 접촉하게 하여 전해 금속 증착법에 의해 기본 금속층의 전체 표면에 균일한 층 두께로 구리층을 전면 증착한다. 상기 구리 증착조는 하나 이상의 구리 이온 공급원, 구리층의 물리-기계적 특성을 조절하기 위한 하나 이상의 첨가 화합물 및 Fe(Ⅱ) 및/또는 Fe(Ⅲ) 화합물을 함유한다. 반도체 기판과, 전해조에서 불용성이고 함께 접촉되어 있는 치수적으로 안정한 상대전극 사이에 전압을 적용시켜, 반도체 기판 (1)과 상대전극 사이에 전류가 흐르게 한다. 본 발명의 마지막 단계는 c) 구리층 (3)을 구조화하는 것이다. |
