单个多晶硅快闪电可擦除只读存储器及其制造方法

摘要

因此,本发明的示例性实施例涉及一种单多晶硅快闪EEPROM单元,能避免常规两个叠置栅极单元的不足,并容易与高性能逻辑技术结合。示例性的两个晶体管快闪EEPROM存储器单元阵列包括多个这样的快闪EEPROM单元,每个具有带位线(BL)和字线(WL)的选择晶体管,其中选择晶体管与浮栅晶体管(B)串联。浮栅晶体管具有形成在有纹理的单晶衬底(P)上的薄隧道氧化物。浮栅(A)也形成在衬底中的重掺杂区(n+)上,形成与浮栅容性耦合的耦合线,执行隧穿功能。

主权项

1．一种快闪EEPROM存储器单元，包括：由第一多晶硅层形成的带位线和字线的选择晶体管；由所述第一多晶硅层形成并与所述选择晶体管串联的浮栅晶体管，所述浮栅晶体管具有形成在有纹理单晶衬底上的隧道氧化物；以及形成在所述衬底中的重掺杂区，所述浮栅形成在所述重掺杂区上，所述重掺杂区形成与所述浮栅容性耦合的耦合线。