| 主权项 |
1.一种制造金属互连之方法,包括: 一第一步骤,在一绝缘基板上,藉无电镀沈积一接 地金属膜; 一第二步骤,在该接地金属膜之特定图案中形成一 光阻膜; 一第三步骤,藉无电镀于未形成该光阻膜及曝光该 接地金属膜之区域中以沈积一贵金属膜; 一第四步骤,移开该光阻膜; 一第五步骤,为了藉蚀刻移开藉移开该光阻膜曝光 该接地金属膜;及 一第六步骤,在该贵金属膜上,藉选择电镀或无电 镀形成一金属膜。2.一种制造金属互连之方法,包 括: 一第一步骤,在一绝缘基板上,藉无电镀沈积一接 地金属膜; 一第二步骤,在该接地金属膜之特定图案中形成一 光阻膜; 一第三步骤,藉无电镀于未形成该光阻膜及曝光该 接地金属膜之区域中以沈积一贵金属膜; 一第四步骤,在该贵金属膜上,藉选择电镀或无电 镀形成一金属膜; 一第五步骤,移开该光阻膜;及 一第六步骤,为了藉蚀刻移开藉移开该光阻膜曝光 该接地金属膜。3.一种制造金属互连之方法,包括: 一第一步骤,在一绝缘基板上,藉无电镀沈积一接 地金属膜; 一第二步骤,在该接地金属膜之特定图案中形成一 光阻膜; 一第三步骤,为了藉蚀刻移开该接地金属膜展示于 未形成该光阻膜之区域中; 一第四步骤,移开该光阻膜; 一第五步骤,在该接地金属膜上,藉移开该光阻膜 所曝光之无电镀有选择性地沈积一贵金属膜;及 一第六步骤,在该贵金属膜上,藉选择电镀或无电 镀形成一金属膜。4.一种制造金属互连之方法,包 括: 一第一步骤,在一绝缘基板上施加及形成一电镀催 化剂引子; 一第二步骤,在一特定图案中曝光该电镀催化剂引 子来形成一电镀催化剂至该特定图案中; 一第三步骤,在未曝光该电镀催化剂引子之区域中 移开该电镀催化剂引子; 一第四步骤,在该图案电镀催化剂上藉选择无电镀 沈积一接地金属膜; 一第五步骤,在该接地金属膜上藉选择无电镀沈积 一贵金属膜;及 一第六步骤,在该贵金属膜上,藉选择电镀或无电 镀形成一金属膜。5.根据申请专利范围第1项之制 造金属互连方法,其中 在该第三步骤中,该无电镀贵金属膜系以该第一步 骤中所沈积之接地金属膜表面代替该贵金属膜之 代替性电镀。6.根据申请专利范围第2项之制造金 属互连方法,其中 在该第三步骤中,该无电镀贵金属膜系以该第一步 骤中所沈积之接地金属膜表面代替该贵金属膜之 代替性电镀。7.根据申请专利范围第1项之制造金 属互连方法,其中 在藉蚀刻移开该接地金属膜之第五步骤中,形成于 第三步骤中之贵金属膜被用作为一蚀刻遮罩。8. 根据申请专利范围第2项之制造金属互连方法,其 中 在藉蚀刻移开该接地金属膜之第六步骤中,沈积于 第四步骤中之金属膜被用作为一蚀刻遮罩。9.根 据申请专利范围第3项之制造金属互连方法,其中 在第五步骤之无电镀贵金属膜系以该第一或第四 步骤中所沈积之接地金属膜表面代替该贵金属膜 之代替性电镀。10.根据申请专利范围第4项之制造 金属互连方法,其中 在第五步骤之无电镀贵金属膜系以该第一或第四 步骤中所沈积之接地金属膜表面代替该贵金属膜 之代替性电镀。11.根据申请专利范围第1项之制造 金属互连方法,进一步包括: 一第七步骤,在该金属膜上,除该第一至第六步骤 之外,形成一表面金属膜。12.根据申请专利范围第 2项之制造金属互连方法,进一步包括: 一第七步骤,在该金属膜上,除该第一至第六步骤 之外,形成一表面金属膜。13.根据申请专利范围第 3项之制造金属互连方法,进一步包括: 一第七步骤,在该金属膜上,除该第一至第六步骤 之外,形成一表面金属膜。14.根据申请专利范围第 4项之制造金属互连方法,进一步包括: 一第七步骤,在该金属膜上,除该第一至第六步骤 之外,形成一表面金属膜。15.根据申请专利范围第 1项之制造金属互连方法,其中该接地金属膜系由 镍形成。16.根据申请专利范围第2项之制造金属互 连方法,其中该接地金属膜系由镍形成。17.根据申 请专利范围第3项之制造金属互连方法,其中该接 地金属膜系由镍形成。18.根据申请专利范围第4项 之制造金属互连方法,其中该接地金属膜系由镍形 成。19.根据申请专利范围第1项之制造金属互连方 法,其中该贵金属膜系由金形成。20.根据申请专利 范围第2项之制造金属互连方法,其中该贵金属膜 系由金形成。21.根据申请专利范围第3项之制造金 属互连方法,其中该贵金属膜系由金形成。22.根据 申请专利范围第4项之制造金属互连方法,其中该 贵金属膜系由金形成。23.根据申请专利范围第1项 之制造金属互连方法,其中该金属膜系由铜形成。 24.根据申请专利范围第2项之制造金属互连方法, 其中该金属膜系由铜形成。25.根据申请专利范围 第3项之制造金属互连方法,其中该金属膜系由铜 形成。26.根据申请专利范围第4项之制造金属互连 方法,其中该金属膜系由铜形成。图式简单说明: 第一图A至第一图F系在本发明之具体实施例中展 示一制造金属互连之方法之方法图; 第二图系在第一图A至第一图F中所示藉施加该制 造金属互连之方法一薄膜电晶体及它的附近地区 之剖面结构图; 第三图A至第三图F系在本发明之另一具体实施例 中展示一制造金属互连之方法之方法图; 第四图系在本发明之另一具体实施例中展示一制 造金属互连之方法图,其中形成表面金属膜; 第五图A至第五图F系在本发明之另一具体实施例 中展示一制造金属互连之方法之方法图;及 第六图A至第六图F系在本发明之另一具体实施例 中展示一制造金属互连之方法之方法图。 |
