| 主权项 |
1.一种半导体陶瓷,含有镧钴型氧化物作为主成分、量为以主成分为准之以元素换算为基础之0.1至10莫耳%之Cr氧化物作为次成分、及量为以主成分为准之以元素换算为基础之0.001至0.5莫耳%之至少一种Li、Na、K、Rb、Cs、Be、Mg、Ca、Sr、Ba、Ni、Cu、及Zn之氧化物。2.根据申请专利范围第1项之半导体陶瓷,其中作为次成分Cr氧化物含量以主成分为准以元素换算为基础为0.5至10莫耳%、及至少一种Li、Na、K、Rb、Cs、Be、Mg、Ca、Sr、Ba、Ni、Cu、及Zn之氧化物含量以主成分为准以元素换算为基础为0.001至0.5莫耳%。3.根据申请专利范围第1或2项之导体陶瓷,其中该镧钴型氧化物为LaxCoO3其中0.500≦x/(1+y)≦0.999,y表示以元素换算为基础之Cr氧化物之含量。4.一种半导体陶瓷装置,包括根据申请专利范围第1至3项中之任一项之半导体陶瓷、及在该半导体陶瓷表面所提供之外部电极。5.一种半导体陶瓷装置,包括藉由将根据申请专利范围第1至3项之任一项之半导体陶瓷与内部电极层合所制造之积层板、及在该积层板表面所提供且与内部电极电气相连之外部电极。图式简单说明:第一图为根据本发明之具体实施例之半导体陶瓷装置之透视图;及第二图为根据本发明之另一个具体实施例之半导体陶瓷装置之截面图。 |
