| 主权项 |
1.一种涂布膜形成方法,系从涂布液供应管嘴供应涂布液来形成涂布膜于被收容在处理容器内之基板表面上,其特征为具备有:载置基板于载台,而转动基板的过程;从前述涂布液供应管嘴吐出涂布液于基板之略中央,以从转动之基板的略中央朝外周边缘扩散涂布液之过程;用以侦测该扩散的涂布液外周轮廓线之扩宽状态的过程;及依据前述所侦测之状态来控制基板之转速,来自前述涂布液供应管嘴之涂布液的吐出量及来自前述涂布液供应管嘴之涂布液的吐出速度中之至少其中之一的过程。2.如申请专利范围第1项之涂布膜形成方法,其中前述控制过程系从前述轮廓线之扩宽状态来算出扩宽速度,并控制基板之转速,来自前述涂布液供应管嘴之涂布液吐出量及来自前述涂布液供应管嘴之涂布液吐出速度中之至少其中之一,以令该扩宽速度能成为所定速度以下。3.如申请专利范围第1项之涂布膜形成方法,其中前述控制过程系在侦测有突破涂布液外周轮廓线所形成之刮痕波纹(Scratch pad)之时,就掌握刮痕波纹之直径方向之宽度,并控制基板之转速,来自前述涂布液供管嘴之涂布液吐出量及来自前述涂布液供应管嘴之涂布液吐出速度中之至少其中之一,以令该广度能成为所定値以下。4.如申请专利范围第1项之涂布膜形成方法,其中前述控制过程系在侦测有突破涂布液外周轮廓线所形成之刮痕波纹时,就掌握刮痕波纹之直径方向之广度,而在该宽度已超过所定値时,就会执行降低基板之转速,增加来自前述涂布液供应管嘴之涂布液吐出量及增加来自前述涂布液供应管嘴之涂布液吐出速度中之至少其中之一。5.如申请专利范围第1项之涂布膜形成方法,其中更具备有,依据前述所侦测之状态,将执行从前述轮廓线朝外周供应稀释剂及从前述轮廓线朝外周供应稀释剂环境中之至少其中之一的过程。6.一种涂布膜形成方法,系从涂布液供应管嘴供应涂布液来形成涂布膜于被收容在处理容器内之基板表面上,其特征为具备有:载置基板于载台,而转动基板的过程;从前述涂布液供应管嘴吐出涂布液于基板之略中央,以从转动之基板的路中央朝外周边缘扩散涂布液之过程;用以侦测该扩散的涂布液外周轮廓线之扩宽状态的过程;及依据前述所侦测之状态,而执行从前述轮廓线朝外周供应稀释剂及从前述轮廓线朝外周供应稀释剂环境中之至少其中之一的过程。7.一种涂布膜形成方法,系从涂布液供应管嘴供应涂布液来形成涂布膜于被收容在处理容器内之基板表面上,其特征为具备有:载置基板于载台,而转动基板的过程;从前述涂布液供应管嘴吐出涂布液于基板之略中央,以从转动之基板的略中央朝外周边缘扩散涂布液之过程;及侦测从突破该扩散之涂布液外周轮廓综所形成之刮痕波纹所突出之复数突出部间所成的复数角度之变化(变动)的过程。8.如申请专利范围第7项之涂布膜形成方法,其中前述侦测过程乃在前述突出部中之其突出量为所定以下之时,有关该突出部将从前述复数突出部中予以去除。9.如申请专利范围第7项之涂布膜形成方法,其中更具备有,当前述变动在于所定以下时,就以第1加速度来减速基板之转速,而在前述变动在于断定以上时,就会发出警报通知之过程。10.如申请专利范围第9项之涂布膜形成方法,其中更具备有,前述变动在于所定以上时,就以较前述第1加速度更大之第2加速度来减速基板之转速的过程。11.如申请专利范围第9项之涂布膜形成方法,其中更具备有,在前述减速后,有消除前述突出部之时,就停止前述减速的过程。12.如申请专利范围第9项之涂布膜形成方法,其中更具备有,当侦测有前述突出部时,就会执行从前述轮廓线朝外周供应稀释剂及从前述轮廓线朝外周供应稀释剂环境中之至少其中之一的过程。13.一种涂布装置,其特征为具备有:转动基板用之机构;要吐出涂布液于前述转动中之基板略中央的机构;当所吐出之涂布液从转动中之基板略中央朝外周边缘扩散时,会侦测涂布液外周输廓线之扩宽状态的侦测机构;及依据前述所侦测之状态,而控制基板之转速、前述涂布液之吐出量及前述涂布液之吐出速度中之至少其中之一的机构。14.如申请专利范围第13项之涂布装置,其中前述控制机构会从前述轮廓线之扩宽状态算出扩宽速度,并控制基板之转速、前述涂布液之吐出量及前述涂布液之吐出速度中之至少其中之一,以令该扩宽速度会成为所定速度以下。15.如申请专利范围第14项之涂布装置,其中前述控制机机系在侦测有突破涂布液外周轮廓线所形成之刮痕波纹之时,就掌握刮痕波纹之直径方向的宽度,并控制基板之转速、前述涂布液之吐出量及前述涂布液之吐出速度中之至少其中之一,以令该宽度能成为所定値以下。16.如申请专利范围第14项之涂布装置,其中前述控制机构系在侦测有突破涂布液外周轮廓线所形成之刮痕波纹时,就掌握刮痕波纹之直径方向的宽度,而在该宽度已超过所定値时,就会执行降低基板之转速,增加前述涂布液之吐出量及增加前述涂布液之吐出速度中之至少其中之一。17.如申请专利范围第14项之涂布装置,其中更具备有,依据前述所侦测之状态,将执行从前述轮廓线朝外周供应稀释剂及从前述轮廓线朝外周供应稀释剂环境中之至少其中之一。18.一种涂布装置,其特征为具备有:转动基板用之机构;要吐出涂布液于前述转动中之基板略中央的机构;当所吐出之涂布液从转动中之基板略中央朝外周边缘扩散时,会侦测涂布液外周轮廓线之扩宽状态的侦测机构;及依据前述所侦测之状态,而执行从前述轮廓线朝外周供应稀释剂及从前述轮廓线朝外周供应稀释剂环境中至少其中之一。19.一种涂布装置,其特征为具备有:转动基板用之机构;要涂出涂布液于前述转动中之基板略中央的机构;及侦测从突破该扩散之涂布液外周轮廓线所形成之刮痕波纹所突出之复数突出部间所形成的复数角度之变动的机构。20.如申请专利范围第19项之涂布装置,其中前述侦测机构乃在前述突出部中之其突出量为所定下之时,有关该突出部将从前述复数突出部中予以去除。21.如申请专利范围第19项之涂布装置,其中更具备有,当前述变动在于所定以下时,就以第1加速度来减速基板之转速,而在前述变动在于所定以上时,就会发出警报通知之机构。22.如申请专利范围第19项之涂布装置,其中更具备有,前述变动在于所定以上时,就以较前述第1加速度更大之第2加速度来减速基板之转速的机构。23.如申请专利范围第19项之涂布装置,其中更具备有,在前述减速后,有消除前述突出部之时,就停止前述减速的机构。24.如申请专利范围第19项之涂布装置,其中更具备有,当侦测有前述突出部时,就会执行从前述轮廓线朝外周供应稀释剂及从前述轮廓线朝外周供应稀释剂环境中之至少其中之一的机构。图式简单说明:第一图系显示要适用本发明之一实施形态的半导体晶圆之抗蚀剂涂布显像处理系统之整体结构的平面图。第二图系显示第一图所示之涂布显像处理系统的正面图。第三图系显示第一图所示之涂布显像处理系统的背面图。第四图系安装于第一图所示之涂布显像处理系统的抗蚀剂涂布装置整体结构之剖面图。第五图系第四图所示之抗蚀剂涂布装置的平面图。第六图系显示有关本发明之一实施形态的抗蚀剂涂布单元控制系的模式图。第七图系显示有关本发明之其他实施形态的抗蚀剂涂布单元控制系的模式图。第八图系在安装于第七图所示之抗蚀剂涂布单元的显示装置所监视之晶圆上的抗蚀液状态之模式图。第九图系显示有关本发明之另一实施形态的抗蚀剂涂布单元控制系之模式图。第十图系显示在第九图所示之抗蚀剂涂布单元的晶圆上面之稀释剂供应管嘴的状态之模式图。第十一图系显示有关再另一实施形态之在于抗蚀剂涂布单元的晶圆上面之抗蚀液状态的模式图。第十二图系显示在于有关再另一实施形态之抗蚀剂涂布单元的处理内容之流程图。第十三图系显示有关习知之抗蚀剂涂布单元的模式图。第十四图系显示在第十三图所示之抗蚀剂涂布单元产生刮痕波纹之状态的模式图。 |
