| 主权项 |
1.一种降低金氧半电晶体之硼穿透效应的方法,其步骤包括:(a)提供一矽基板,其上设有一隔离区、一元件区以及一闸极氧化层系成长于该元件区上;(b)于该矽基板表面沉积一多晶矽层;(c)以硼离子(B+)植入该多晶矽层;(d)于该多晶矽层上形成一具有一预定闸极图案的闸极光阻;(e)蚀刻未被该闸极光阻所覆盖之多晶矽层,以形成一多晶矽闸极;(e)利用该闸极光阻作为一罩幕,以硼氟离子(BF2+)植入该矽基板内;(f)去除该闸极光阻;以及(g)进行一回火程序以于该矽基板形成一源/汲极之浅接面。2.如申请专利范围第1项所述的方法,其中该步骤(d)包括:(d1)于该多晶矽层表面上形成一光阻层;以及(d2)对该光阻层进行一微影制程,将该预定闸极图案转移以定义形成一闸极光阻。3.如申请专利范围第1项所述的方法,其中该闸极氧化层系于氧气的环境下成长。4.如申请专利范围第1项所述的方法,其中该闸极氧化层系于NO或N2O的环境下成长。5.如申请专利范围第1项所述的方法,其中该闸极氧化层之厚度为1.5至10nm。6.如申请专利范围第1项所述的方法,其中该多晶矽层系利用低压化学气相沉积方式形成,厚度为100~300nm。7如申请专利范围第1项所述的方法,其中该硼离子(B+)剂量为1E15至1E16cm-2,能量为10至50KeV。8如申请专利范围第1项所述的方法,其中该多晶矽闸极系由一活性电浆蚀刻方式形成。9.如申请专利范围第1项所述的方法,其中该硼氟离子(BF2+)剂量为1E13至1E15cm-2,能量为0.1至20KeV。10.如申请专利范围第1项所述的方法,其中该回火程序系在一炉管内进行,温度为600~850℃,时间为10分钟至60分钟。11.如申请专利范围第1项所述的方法,其中该回火程序系在一快速回火炉内进行,温度为900~1050℃,时间为1秒至1分钟。12.如申请专利范围第1项所述的方法,其中该方法系应用于一金氧半电晶体之p型元件。图式简单说明:第一图A至第一图G系显示本发明提升双闸极互补式金氧半电晶体抵抗硼穿透效应的方法的示意图。第二图系显示起始电压的飘移情形。第三图系显示崩溃电荷値的变化情形。 |
