| 主权项 |
1.一种分离闸快闪记忆体之浮置闸的制造方法,包括:提供一基底;形成图案化之一牺牲层,暴露出部分该基底之表面;形成一掺杂多晶矽层于该基底上;去除高于该牺牲层之该掺杂多晶矽层;形成一绝缘层于该基底上;去除高于该牺牲层之该绝缘层;去除暴露出之该掺杂多晶矽层;以及去除该牺牲层。2.如申请专利范围第1项所述之分离闸快闪记忆体之浮置闸的制造方法,其中该牺牲层包括以化学气相沈积法所形成之氮化矽层。3.如申请专利范围第1项所述之分离闸快闪记忆体之浮置闸的制造方法,其中去除高于该牺牲层之该掺杂多晶矽层的方法包括化学机械研磨法。4.如申请专利范围第1项所述之分离闸快闪记忆体之浮置闸的制造方法,其中该绝缘层包括以化学气相沈积法所形成之氧化矽层。5.如申请专利范围第1项所述之分离闸快闪记忆体之浮置闸的制造方法,其中去除高于该牺牲层之该绝缘层的方法包括化学机械研磨法。6.如申请专利范围第1项所述之分离闸快闪记忆体之浮置闸的制造方法,其中去除暴露出之该掺杂多晶矽层的方法为非等向性蚀刻法。7.一种分离闸快闪记忆体之浮置闸的制造方法,包括:提供一基底;形成一牺牲层于该基底上;图案化该牺牲层,以形成复数个开口暴露出该基底之表面;形成一掺杂多晶矽层于该基底上;形成一绝缘层于该掺杂多晶矽层上;去除高于该牺牲层之该掺杂多晶矽层与该绝缘层;以该绝缘层为去除罩幕,去除部分之该掺杂多晶矽层;以及去除该牺性层。8.如申请专利范围第7项所述之分离闸快闪记忆体之浮置闸的制造方法,其中该牺牲层包括以化学气相沈积法所形成之氮化矽层。9.如申请专利范围第7项所述之分离闸快闪记忆体之浮置闸的制造方法,其中该绝缘层包括以化学气相沈积法所形成之氧化矽层。10.如申请专利范围第7项所述之分离闸快闪记忆体之浮置闸的制造方法,其中去除高于该牺牲层之该绝缘层与该掺杂多晶矽层的方法包括化学机械研磨法。11.如申请专利范围第7项所述之分离闸快闪记忆体之浮置闸的制造方法,其中去除部分之该掺杂多晶矽层的方法为非等向性蚀刻法。图式简单说明:第一图为习知一种分离闸快闪记忆体之结构剖面示意图;第二图A-第二图C为习知一种分离闸快闪记忆体之浮置闸的制造流程剖面图;第三图A-第三图C系依照本发明一较佳实施例之一种分离闸快闪记忆体之浮置闸的制造流程剖面示意图;以及第四图A-第四图C系依照本发明另一较佳实施例之另一种分离闸快闪记忆体之浮置闸的制造流程剖面示意图。 |
