发明名称 具内建电阻之功率分配(合成)器
摘要 本发明系关于一种具内建电阻之功率分配(合成)器,主要系以铜线路于一基板上分别构成一输入段、一分配段及两输出段,其中两输出段间设有一电阻;其中:该电阻系由高电阻系数材料以印刷方式构成,或内建于多层式的基板上,再透过钻孔、电镀等步骤使内建电阻与基板表面的输出段构成电连接,又配合高介电系数材料与导电层的印刷,可有效解决用功率分配器设置匹配电阻时容易产生偶合杂讯、基板缩小不易等问题。
申请公布号 TW452994 申请公布日期 2001.09.01
申请号 TW089115989 申请日期 2000.08.09
申请人 华通电脑股份有限公司 发明人 林文彦
分类号 H01P5/16;H05K1/16 主分类号 H01P5/16
代理机构 代理人 林镒珠 台北市长安东路二段一一二号九楼
主权项 1.一种具内建电阻之功率分配(合成)器,主要系于 一基板上分别构成第一段、第二段及第三段等线 路,其中第三段系由两分歧线路构成,两分歧线路 间设有一平面电阻,又前述线路与平面电阻上覆设 有一层高介电系数材料。2.如申请专利范围第1项 所述具内建电阻之功率分配(合成)器,该基板上形 成有一接地线路,又高介电系数材料上层设有一导 电层,该导电层并与接地线路接触。3.如申请专利 范围第1或2项所述具内建电阻之功率分配(合成)器 ,该基板上下层分设有树脂,并于树脂表面分设有 铜线路,该铜线路系与内层基板上的铜线路构成电 连接。4.如申请专利范围第1项所述具内建电阻之 功率分配(合成)器,该平面电阻系由高电阻系数材 料构成。5.如申请专利范围第4项所述具内建电阻 之功率分配(合成)器,该高电阻系数材料系导电金 属膏或导电高分子。6.如申请专利范围第1.4或5项 所述具内建电阻之功率分配(合成)器,该平面电阻 系以印刷方式形成。7.如申请专利范围第1项所述 具内建电阻之功率分配(合成)器,该高介电系数材 料系以印刷方式覆设于线路与平面电阻上。8.如 申请专利范围第2项所述具内建电阻之功率分配( 合成)器,该导电层系以印刷方式覆设于高介电系 数材料及接地线路上。9.一种具内建电阻之功率 分配(合成)器,主要系于一基板表面分设第一段、 第二段及第三段等线路,其中第三段系由两分歧线 路构成,两分歧线路间设有一平面电阻,又基板上 下层分设有树脂而压合构成一多层基板,而令前述 平面电阻内建于该多层基板中。10.如申请专利范 围第9项所述具内建电阻之功率分配(合成)器,该平 面电阻系由高电阻系数材料构成。11.如申请专利 范围第10项所述具内建电阻之功率分配(合成)器, 该高电阻系数材料系导电金属膏或导电高分子。 12.如申请专利范围第9.10或11项所述具内建电阻之 功率分配(合成)器,该平面电阻系以印刷方式形成 。13.如申请专利范围第9项所述具内建电阻之功率 分配(合成)器,该基板上下层的树脂表面分设有铜 线路。图式简单说明: 第一图:系本发明一较佳实施例之平面图。 第二图:系本发明一较佳实施例之剖视图。 第三图A-第三图D:系本发明又一较佳实施例之制程 步骤示意图。 第四图:系本发明再一较佳实施例之剖视图。 第五图:系本发明另一较佳实施例之剖视图。 第六图:系习用功率分配器之外观示意图。 第七图:系习用功率分配器之等效电路图。 第八图:系习用功率分配器之一种装配电阻形式示 意图。 第九图:系习用功率分配器又一种装配电阻形式示 意图。 第十图:系习用功效分配器之剖视图。
地址 桃园县芦竹乡新庄村大新路八一四巷九十一号