AN OPTICAL SEMICONDUCTOR DEVICE

摘要

본 발명의 광 반도체 소자는 활성 영역, 및 상기 활성 영역의 한 측면 상에 배치된 p-도핑된 클래딩 영역을 포함하되, 전자-반사 장벽이 상기 활성 영역의 p-측 상에 제공되어서 Γ-전자 및 Χ-전자 모두를 반사시키고, 상기 전자-반사 장벽은 Γ-전자에 대하여 상기 p-도핑된 클래딩 영역보다 더 큰 전위 장벽을 제공한다.