| 摘要 |
<p>L'invention concerne une diode à effet de claquage comprenant, par exemple, une pile de régions (1, 2, 3, 4) n?++, p-, p+, n++¿. Dans une diode connue, les régions s(1, 2, 3, 4) sont agencées sur un substrat (11) selon l'ordre précité. Ladite diode comprend des conducteurs de connexion (5, 6), mais ne possède pas de caractéristique de pente I-V, et est donc moins appropriée comme dispositif de suppression de tension transitoire (TVSD). En particulier, à des tensions inférieures à 5 volts, une diode à effet de claquage ne présente pas d'alternative attractive pour être utilisée comme un TVSD. Dans l'invention, la diode à effet de claquage présente une structure inversée, ce qui signifie que les régions (1, 2, 3, 4) sont positionnées dans un ordre inverse sur le substrat (11), et donc, la première région (1) est adjacente à une surface, et la quatrième région (4) est adjacente au substrat (11). Cette diode possède une caractéristique de pente I-V, convient parfaitement comme TVSD, et fonctionne très bien à une tension de fonctionnement inférieure à 5 volts. La diode comprend, de préférence, une plaque à champ (6), et la première région (1) comprend, également de préférence, un cristal de silicium et de germanium mélangés.</p> |
