| 主权项 |
1.一种在半导体基材上形成半绝对尺寸二氧化矽硬罩幕的方法,至少包含:形成二氧化矽层在该半导体基材之上;定义光阻图案,具有一个绝对尺寸,在该二氧化矽层之上;形成第一高分子层在该光阻图案与该二氧化矽层之上,其中该第一高分子层具有半绝对尺寸的厚度;移除在该光阻图案与该二氧化矽层之顶面的该第一高分子层;蚀刻该二氧化矽层,使用该第一高分子层与该光阻层作为蚀刻罩幕;移除该光阻图案;在该第一高分子层、该二氧化矽层与该半导体基材之上形成第二高分子层,其中该第二高分子层具有四分之一绝对尺寸的厚度;移除在该二氧化矽层之顶面的该第二高分子层;以及蚀刻该二氧化矽层,使用该第一高分子层与该第二高分子层作为蚀刻罩幕,在该基材上形成半绝对尺寸的二氧化矽硬罩幕。2.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该二氧化矽层的厚度大于300埃3.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该二氧化矽硬罩幕是作为在该半导体基材上形成半绝对尺寸闸极结构的蚀刻罩幕。4.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该第一高分子层与该第二高分子层形成于蚀刻反应室之中。5.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该第一高分子层与该第二高分子层形成于沈积反应室之中。6.一种在半导体基材上形成半绝对尺寸二氧化矽硬罩幕的方法,至少包含:形成二氧化矽层,覆盖在该半导体基材之上;定义一绝对尺寸的光阻图案在该二氧化矽层之上,其中该光阻图案的间隙为一个绝对尺寸;形成第一高分子层在该光阻图案的侧边、该光阻图案之顶面与该二氧化矽层之顶面之上,其中该第一高分子层的厚度为半个绝对尺寸;移除在该光阻层与该二氧化矽层之该顶面上的该第一高分子层;蚀刻该二氧化矽层,使用该第一高分子层与该光阻层作为蚀刻罩幕;移除该光阻图案;形成第二高分子层,覆盖在该第一高分子层的表面、该二氧化矽层的该顶面与该半导体基材之上,其中该第二高分子层的厚度为四分之一个绝对尺寸;移除在该二氧化矽层之该顶面的该第二高分子层;以及蚀刻该二氧化矽层,利用该第一高分子层与该第二高分子层作为蚀刻罩幕,在该基板上形成半绝对尺寸的二氧化矽罩幕。7.如申请专利范围第6项所述之方法,其中该二氧化矽层的厚度大于300埃。8.如申请专利范围第6项所述之方法,其中该二氧化矽硬罩幕是作为蚀刻罩幕,在该半导体基材之上形成半绝对尺寸的硬罩幕。9.如申请专利范围第6项所述之方法,其中在该光阻层之中的该间隙,在该第一高分子层形成在该光阻层的该侧壁之后,为半个绝对尺寸的宽度。10.如申请专利范围第6项所述之方法,其中该第一高分子层与该第二高分子层形成在蚀刻反应室之中。11.如申请专利范围第6项所述之方法,其中该第一高分子层与该第二高分子层形成在沈积反应室之中。12.一种在半导体基材上形成半绝对尺寸二氧化矽硬罩幕的方法,至少包含:形成二氧化矽层覆盖在该基材之上;形成复晶矽层覆盖在该二氧化矽层之上;定义光阻图案在该复晶矽层上,其中该光阻图案的线宽为一个绝对尺寸;蚀刻该复晶矽层,利用该光阻图案作为一硬罩幕,在该二氧化矽层之上形成半绝对尺寸的复晶矽岛;形成侧壁在该复晶矽岛的侧边,其中该侧壁的厚度为半个绝对尺寸;移除该复晶矽岛,其中该侧壁的线宽为半个绝对尺寸;以及蚀刻该二氧化矽层,使用该侧壁作为蚀刻罩幕,在该基材上形成半个绝对尺寸的二氧化矽硬罩幕。13.如申请专利范围第12项所述之方法,其中该侧壁的组成材料系选自氮化矽与二氧化矽所组成群组的其中之一。14.如申请专利范围第12项所述之方法,其中该二氧化矽硬罩幕是作为一蚀刻罩幕,在该基材上形成半个绝对尺寸的闸极结构。15.如申请专利范围第12项所述之方法,其中该光阻图案具有宽度为一个绝对尺寸的间隙形成在其中。16.如申请专利范围第12项所述之方法,其中该复晶矽岛是利用具有一个绝对尺寸宽度的侧壁来彼此隔开。图式简单说明:第一图系显示根据本发明之第一具体实施例的半导体基材剖面示意图,一个绝对尺寸的光阻图案形成在氧化矽/复晶矽/氧化矽层叠之上,此叠层形成在基材之上;第二图系显示第一具体实施例之半导体基材的剖面示意图,第一高分子层形成在光阻图案的表面,以窄化在光阻图案之间的间隙;第三图系显示第一具体实施例之半导体基材的剖面示意图,蚀刻在光阻图案顶面与在光阻图案之间的第一高分子层,蚀刻二氧化矽层在光阻图案之下成二氧化矽图案;第四图系显示第一具体实施例之半导体基材的剖面示意图,利用一般技术移除光阻图案,在第一高分子层之中形成一光阻空腔;第五图系显示第一具体实施例之半导体基材的剖面示意图,第二高分子层形成在第一高分子层的表面与在二氧化矽层的顶面;第六图系显示第一具体实施例之半导体基材的剖面示意图,移除在氧化层顶面的第二高分子层,然后利用第一高分子层与第二高分子层作为蚀刻罩幕,对氧化层进行蚀刻;第七图系显示第一具体实施例之半导体基材的剖面示意图,移除第一高分子层与第二高分子层,在复晶矽层之上形成半绝对尺寸的氧化矽图案;第八图系显示第一具体实施例之半导体基材的剖面示意图,利用氧化矽图案作为蚀刻罩幕,对复晶矽层进行蚀刻制程;第九图系显示第二具体实施例之半导体基材的剖面示意图,一个绝对尺寸光阻图案形成在复晶矽层之上;第十图系显示第二具体实施例之半导体基材的剖面示意图,蚀刻复晶矽层,形成具有半绝对尺寸宽度的复晶矽图案;第十一图系显示第二具体实施例之半导体基材的剖面示意图,在复晶矽图案的侧面上形成侧壁,此侧壁具有半绝对尺寸的厚度;第十二图系显示第二具体实施例之半导体基材的剖面示意图,移除在侧壁之间的复晶矽图案,侧壁系作为具有半个绝对尺寸的硬罩幕;第十三图系显示第二具体实施例之半导体基材的剖面示意图,蚀刻在侧壁之下的二氧化矽层,形成具有半绝对尺寸的二氧化矽图案,并利用二氧化矽图案作为蚀刻罩幕,蚀刻在二氧化矽图案之下的复晶矽层。 |
