| 主权项 |
1.一种制作薄膜型装置之方法,包括下列步骤:提供一底材;于该底材上表面形成底层;于该底层开设第一蚀刻窗;形成牺牲层充填该第一蚀刻窗;形成结构层于该底层及该牺牲层表面;于该结构层开设第二蚀刻窗,使该牺牲层露出一部份;以及经由该第二蚀刻窗对该牺牲层及该底材进行蚀刻。2.如申请专利范围第1项所述之制作薄膜型装置之方法,其中该底材为矽者。3.如申请专利范围第1项所述之制作薄膜型装置之方法,其中该底层包含一层或多层之介电质、半导体材料、金属材料、金属氧化物、金属氮化物或金属矽化物者。4.如申请专利范围第1项所述之制作薄膜型装置之方法,其中该牺牲层包括一层或多层之介电质、半导体材料、金属材料、金属氧化物、金属氮化物或金属矽化物者。5.如申请专利范围第1项所述之制作薄膜型装置之方法,其中该结构层包括一层或多层之介电质、半导体材料、金属材料、金属氧化物、金属氮化物或金属矽化物者。6.如申请专利范围第1项所述之制作薄膜型装置之方法,其中该结构层包含热电堆元件,热阻型温度感测元件、压力感测元件、流量感测元件、气体感测元件或电子元件者。7.一种制作薄膜型装置之方法,包括下列步骤:提供一底材;于该底材上表面形成底层;于该底层开设第一蚀刻窗,以致于该底层被第一蚀刻窗定义出至少一保留区域;形成牺牲层充填该第一蚀刻窗;形成结构层于该牺牲层及该保留区域之表面;于该结构层开设第二蚀刻窗,使该牺牲层露出一部份;以及经由该第二蚀刻窗对该牺牲层及该底材进行蚀刻。8.如申请专利范围第7项所述之制作薄膜型装置之方法,其中该底材为矽者。9.如申请专利范围第7项所述之制作薄膜型装置之方法,其中该底层包含一层或多层之介电质、半导体材料、金属材料、金属氧化物、金属氮化物或金属矽化物者。10.如申请专利范围第7项所述之制作薄膜型装置之方法,其中该牺牲层包括一层或多层之介电质、半导体材料、金属材料、金属氧化物、金属氮化物或金属矽化物者。11.如申请专利范围第7项所述之制作薄膜型装置之方法,其中该结构层包括一层或多层之介电质、半导体材料、金属材料、金属氧化物、金属氮化物或金属矽化物者。12.如申请专利范围第7项所述之制作薄膜型装置之方法,其中该底层与结构层包含热电堆元件、热阻型温度感测元件、压力感测元件、流量感测元件、气体感测元件或电子元件者。图式简单说明:第一图系传统以正面蚀刻制程制作薄膜型装置之流程图。第二图系习知技艺中采用牺牲层制作薄膜型装置之流程图。第三图显示本发明之一实施例。第四图显示本发明之另一实施例。 |
