| 主权项 |
1.一种用于无闪烁阴极射线管之磷光体萤幕,该萤幕包含:一面板,其上形成有一黑阵列;红,绿及蓝磷光体层,形成在该面板上黑阵列未形成之区域上;及紫外线磷光体层,形成在该蓝磷光体层之上。2.如申请专利范围第1项所述之用于无闪烁阴极射线管之磷光体萤幕,其中上述之由紫外线磷光体所发射之紫外线之波长是于300-420奈米之范围。3.如申请专利范围第1项所述之用于无闪烁阴极射线管之磷光体萤幕,其中上述之紫外线磷光体层是由包含CaS:Pb,CaO:Pb,Y2O3:Gd,HfO2:Ti,Zn2SiO4:Ti,ZnGa2O4:Li,Ti,Y2SiO5:Ce,Y2Si2O7:Ce,BaSi2O5:Pb及Ba2SiO4:Pb群组中选出。4.如申请专利范围第1项所述之用于无闪烁阴极射线管之磷光体萤幕,其中上述之蓝磷光体是ZnS:Ag,Cl及ZnS:Ag,Al。5.一种用以制造一用于无闪烁阴极射线管之磷光体萤幕之方法,至少包含下列步骤:形成红及绿磷光体层在一用于一阴极射线管之面板上,在面板上形成有一黑阵列者;形成一蓝磷光体层在该面板上,在其上,一黑阵列系藉由涂覆蓝磷光体泥浆及乾燥加以形成;及形成一双磷光体层,藉由涂覆一紫外线磷光体泥浆于该蓝磷光体层及乾燥。6.如申请专利范围第5项所述之制造一用于无闪烁阴极射线管之磷光体萤幕之方法,其中上述之紫外线磷光体是由包含CaS:Pb,CaO:Pb,Y2O3:Gd,HfO2:Ti,Zn2SiO4:Ti,ZnGa2O4:Li,Ti,Y2SiO5:Ce,Y2Si2O7:Ce,BaSi2O5:Pb及Ba2SiO4:Pb之群组中选出。7.如申请专利范围第5项所述之制造一用于无闪烁阴极射线管之磷光体萤幕之方法,其中上述之蓝磷光体是ZnS:Ag,Cl及ZnS:Ag,Al。图式简单说明:第一图为一传统磷光体萤幕之剖面图。第二图为一用于无闪烁阴极射线管之双磷光体层之磷光萤幕之剖面图,其中一紫外线磷光体层是依据本发明之实施例之形成在蓝磷光体层上。 |
