| 主权项 |
1.一种基板处理装置,包含有:一处理室,系用以处理基板者;一加热板,系配置于该处理室内,且具有第1及第2面,而用以将基板保持于该第1面上,俾予以加热处理者;一供给装置,系用以朝该处理室内供给处理气体者;一排气装置,系用以将该处理室内之气体排出者;及一导引室,系沿该加热板第2面之外缘内侧而设置者,用以将该供给装置所供入之处理气体暂时储存后,由该加热板外缘引导向该加热板表面。2.如申请专利范围第1项之基板处理装置,其中该导引室具有导引板;而该导引板则系将前述供给装置所供入之处理气体沿该加热板背面外周引导者。3.如申请专利范围第2项之基板处理装置,其中该导引板系与该加热板相连接者。4.如申请专利范围第1项之基板处理装置,其中该导引室包含有一具有导引沟之导引道,而该导引道则可沿该加热板背面之外周引导前述气体供给装置所供给之处理气体者。5.如申请专利范围第1项之基板处理装置,其中该供给装置具有一调温部,用以调整该处理气体之温度。6.如申请专利范围第1项之基板处理装置,其中该导引室更具有一用以供给清洗该导引室之用的气体之装置。7.如申请专利范围第1项之基板处理装置,其中该供给装置系由一处朝该导引室供给气体者。8.如申请专利范围第1项之基板处理装置,并包含有:至少三支支持销,系配置成可自该加热板第1面出没,而可运送该基板者;及一昇降驱动机构,系配置于该加热板第2面侧而用以驱动前述支持销昇降者。9.如申请专利范围第1项之基板处理装置,其中该基板上涂附有将粒子或胶体分散于溶剂中而形成之涂附液,而该处理气体中则含有业经蒸发之氨。10.一种基板处理装置,包含有:一加热板,系具有第1及第2面,而用以将基板保持于该第1面上俾予以加热处理者;一本体,配置着前述加热板,并使前述第1面为露出面;一盖体,系配置成可对本体接离,且在其与本体形成接触时则可在其与该本体间形成一用以处理基板之密闭空间者;一供给装置,系用以朝该密闭空间内供给处理气体者;一排气装置,系用以将该密闭空间内之气体排出者;一导引室,系沿该加热板第2面之外缘内侧而设置者,用以将该供给装置所供入之处理气体暂时储存后,由该加热板外缘导向该加热板表面。11.如申请专利范围第10项之基板处理装置,其中该盖体具有一排气用之排气口,该排气口之设置位置系大致对应于该加热板所保持之基板中央;而前述排气装置则系经由该排气口而将该密闭空间内之气体排出者。12.如申请专利范围第11项之基板处理装置,其中该排气口只有一个。13.如申请专利范围第12项之基板处理装置,该装置更具有一构件,该构件系配置成可关闭该排气口者,除此之外,该构件并具有多个透孔。14.如申请专利范围第10项之基板处理装置,该装置更具有一用以调整该盖体之温度的盖体调温机构。15.如申请专利范围第10项之基板处理装置,其中该本体并具有连接前述导引室之供给道,而前述供给装置则系经由该供给道朝该导引室供给处理气体。16.如申请专利范围第15项之基板处理装置,其中该供给道只有一条。17.一种基板处理装置,包含有:一处理室,系用以处理基板者;一加热板,系配置于该处理室内,具有第1及第2面,而用以将基板保持于该第1面上,俾进行加热处理者;一供给装置,系用以朝该处理室内供给处理气体者;一排气装置,系用以将该处理室内之气体排出者;一检测装置,系供检测该处理室内之处理气体浓度者;及一控制装置,系可依据该检测出之浓度以控制该处理室内处理基板之处理时间者。18.如申请专利范围第17项之基板处理装置,该装置更包含有一导引室,该导引室系沿前述加热板第2面之外缘内侧而设置者,用以将前述供给装置所供给之处理气体暂时储存后,由该加热板外缘导向该加热板表面。19.如申请专利范围第17项之基板处理装置,其中该处理气体系氨与水之混合气体。20.如申请专利范围第17项之基板处理装置,该装置更具有一以钝气清洗该处理室之装置。图式简单说明:第一图为本发明之实施态样中之SOD系统之平面图。第二图为第一图中所示之SOD系统之正面个。第三图为第一图中所示之SOD系统之背面图。第四图为第一图中所示之SOD系统中之主晶圆搬送机构之立体图。第五图为本发明之实施态样中之熟化处理站之截面图。第六图为第五图中所示之熟化处理站之平面图。第七图为第五图及第六图中所示之处理室之截面图。第八图为第七图中A箭头方向之截面视图。第九图为第七图中B箭头方向之截面视图。第十图为第七图中C箭头方向之截面视图。第十一图为第一图中所示之SOD系统之处理流程图。第十二图系用以说明本发明之其他实施态样中之处理室上之盖体构造者。第十三图系用以说明本发明之其他实施态样中之处理室构造者。 |
