CVD装置及CVD方法

摘要

本发明系关于一种CVD装置及CVD方法;即本发明之CVD装置及CVD方法为配线用铜膜的化学气相沈积成膜，系分别在成膜条件并不相同的二种各自化学气相沈积制程中,使用适当之原料，以进行成膜，而实现良好埋入特性与相当大之成膜速度，以便于提高成膜效率与膜质。在基板上形成配线用铜膜的化学气相沈积装置，系具备着第l化学气相沈积模组15与第2化学气相沈积模组16，第l化学气相沈积模组15是使用成膜速度小的铜(hfac)(tmvs)系列原料，以形成底层的铜膜，第2化学气相沈积模组16是使用成膜速度大的铜(hfac)(atms)系列原料，以增加铜膜厚度及成膜。铜(hfac)(tmvs)系列原料的成膜速度大约为100nm/分钟，铜(hfac)(atms)系列原料的成膜速度大约为400nm/分钟。本发明之CVD装置及CVD方法系可以实现所谓达到相当高之成膜效率与成膜性质两者并且具实用性的量产用的化学气相沈积装置。

主权项

1.一种化学气相沉积装置,系为在基板上形成配线用钢膜的化学气相沉积装置,其特征为:具备有第1化学气相沉积模组与第2化学气相沉积模组;该第1化学气相沉积模组是使用铜(hfac) (tmvs)系列原料,以进行成膜,而该第2化学气相沉积模组是使用铜(hfac)(atms)系列原料,以进行成膜。2.如申请专利范围第1项之化学气相沉积装置,其中系藉由将使用上述铜(hfac)(tmvs)系列原料的铜膜底层的成膜制程与使用上述铜(hfac)(tmvs)系列原料的增加铜膜厚度之铜膜的成膜制程组合,而完成一种成膜制程。3.如申请专利范围第1或2项之化学气相沉积装置,其中系设置一个化学气相沉积成膜室,此化学气相沉积成膜室系共用着上述第1化学气相沉积模组的成膜室与第2化学气相沉积模组的成膜室。4.一种化学气相沉积方法,系为在基板上形成配线用铜膜的化学气相沉积方法,其特征为:依序地实行第1化学气相沈积制程与第2化学气相沈积制程,以完成一种成膜制程,第1化学气相沈积制程是使用铜(hfac)(tmvs)系列原料,以进行铜膜底层的成膜,而第2化学气相沈积制程是使用铜(hfac)(atms)系列原料,以进行增加厚度之铜膜的成膜。图式简单说明:第一图系为用以表示本发明的化学气相沈积装置的具代表性之实施形态的俯视图。第二图系为以表示某一实例之配线构造与膜沈积状态的断面图。第三图系为用以表示本发明化学气相沈积装置的实施形态的变形例的俯视图。