钛酸锶晶体管

摘要

本发明涉及电子学晶体管技术领域。本发明将掺杂的n型和p型钛酸锶薄膜材料进行叠层外延在一起,形成p－n结,p－n－p结,n－p－n结和多结结构,构成钛酸锶晶体二极管,三极管,多基极三极管和多发射极三极管。本发明提供的钛酸锶晶体管工艺简单,结面更锐,稳定性好,故钛酸锶晶体管将成为一种广泛应用的电子器件,亦可发展成为钛酸锶集成电路。

主权项

1、一种钛酸锶晶体管，其特征在于：在SrTiO3或YSZ或LaAlO3或Nb:SrTiO3单晶基片上将掺杂而成的p型和n型钛酸锶薄膜材料叠层外延在一起，形成p-n结，p-n-p结，n-p-n结及多结结构，即成钛酸锶晶体二极管，晶体三极管，多基极晶体三极管，多发射极晶体三极管；其中n型钛酸锶为SrAxTi1-xO3或Sr1-xLaxTiO3，A是Nb或Sb；p型钛酸锶为SrBxTi1-xO3，B是In或Mn；x取值范围为0.005-0.5。